[發明專利]石墨烯超窄帶電光調制器有效
| 申請號： | 201810644115.2 | 申請日： | 2018-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN108919520B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 劉江濤;童紅;蔡勛明;王代強;王聲權;付海波;孫嶄 | 申請（專利權）人： | 貴州民族大學 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 550025 *** | 國省代碼： | 貴州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨 窄帶 電光 調制器 | ||
【權利要求書】：
1.一種石墨烯超窄帶電光調制器，其特征在于，所述電光調制器中包括：
平行設置的上反射鏡和下反射鏡；
設置于所述上反射鏡和下反射鏡之間的一對支撐密閉層；
由所述上反射鏡、下反射鏡及支撐密閉層形成的內部真空的光學微腔；及
多層薄膜復合結構，平行設置于所述反射鏡和下反射鏡間，將所述光學微腔隔開為上微腔和下微腔，且所述上微腔和下微腔中填充有金屬飽和蒸汽；
所述多層薄膜復合結構由石墨烯層、絕緣層及石墨烯層組成，或所述多層薄膜復合結構由多周期石墨烯層和絕緣層交替組成，且最外層均為石墨烯層。
2.根據權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述金屬飽和蒸汽為銣原子飽和蒸汽或銫原子飽和蒸汽。
3.根據權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述絕緣層由氮化硼或二氧化硅構成。
4.根據權利要求1或3所述的電光調制器，其特征在于，所述多層薄膜復合結構中包括的石墨烯層由空穴摻雜和電子摻雜間隔設置。
5.根據權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述上反射鏡/下反射鏡為由多層介質布拉格反射鏡或金屬薄膜構成的背反射鏡。
6.根據權利要求5所述的電光調制器，其特征在于，所述多層介質布拉格反射鏡由兩種介質交替構成，折射率分別為n1和n2，兩種介質的厚度分別為λ0/(4n1)和λ0/(4n2)，其中λ0為特征波長，由金屬原子蒸汽中心躍遷波長和入射光角度決定。
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