[發明專利]可調磁體、沉積腔室及用于改變沉積腔室中磁場分布的方法

有效

• 申請號: 201810643463.8
• 申請日: 2018-06-21
• 公開（公告）號: CN109423616B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 何明杰;楊博文;羅司憲;曾順良;鄭文正;鍾承芳;薛家麟;莊國彬
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本發明揭露一種可調磁體、沉積腔室及用于改變沉積腔室中磁場分布的方法。在一實施例中揭露了一種用于調整沉積腔室中磁場分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁場分布。移除沉積腔室中的多個第一固定磁體。用多個第二磁體各別替換多個第一固定磁體的每一個。執行以下操作中的至少一個：調整多個第二磁體中的至少一個的一位置，以及調整多個第二磁體中的至少一個的一尺寸。在沉積腔室中量測一磁場分布，并且將在沉積腔室中量測的磁場分布和靶材磁場分布進行比較。

技術領域

關于一種可調磁體、沉積腔室及用于改變沉積腔室中磁場分布的方法。

背景技術

微電子機器系統(micro-electro-mechanical system，MEMS)、CMOS圖像感測器和封裝技術(例如硅通孔(through-silicon via，TSV))的新興應用正推動在如氮化鋁(Aluminum Nitride，AlN)、氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化鋁(Aluminum Oxide，Al₂O₃)和鍺(Germanium，Ge)的薄膜上的物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)的發展。

在半導體產業中已存在金屬化系統(metallization system)。憑借著跨越前端金屬化(如鈷和鎢、鋁和銅互連)的沉積能力以及像凸塊下金屬化這樣的封裝應用，近20年來制造的絕大多數微晶片都是使用全球現有系統中之一所制成的?，F有的系統通過嚴格控制薄膜厚度、優異的底部覆蓋和高保形性來沉積各種超純(ultra-pure)薄膜的能力，使得制造導入端裝置(leading edge devices)成為可能。

由于現有系統仍處于生產狀態并且有許多原始配置，因此有許多產品改良可提供改善制程性能和工具生產力。舉例來說，冷卻腔室(Cool Down chamber)的產能瓶頸(throughput bottlenecks)可以通過將腔室A從隘口相接處(Pass Thru)轉換為冷卻來消除。可以使用簡易局部中心定位(easy local center finding，EZ LCF)來消除晶圓定位的誤差，同時改善用于夾接過程(clamped process)的緊密邊緣排除(tight edgeexclusions)的性能，并消除與連續多腔室制程(multi-chamber process sequences)有關的迭加誤差(stack-up errors)。此外，腔室的升級適用于許多腔室，包含TxZ(用于晶圓加熱制程的TiN加熱器)，以改善晶圓上的均勻性并減少維護。

發明內容

根據本揭露的一態樣，一種用于改變沉積腔室中磁場分布的方法，此方法包含以下操作。提供一靶材磁場分布。移除沉積腔室中的多個第一固定磁體。用多個第二磁體各別替換多個第一固定磁體的每一個。執行以下操作中的至少一個：調整多個第二磁體中的至少一個的一位置，以及調整多個第二磁體中的至少一個的一尺寸；在沉積腔室中量測一磁場分布；以及在沉積腔室中量測一磁場分布。

根據本揭露的另一態樣，一種沉積腔室包含多個可調磁體。這些可調磁體用于調整該沉積腔室的一磁場分布，其中每一個可調磁體的一位置是可單獨調整的，其中這些多個可調磁體中的每一個的一體積是可單獨調整的，其中每一個可調磁體的磁場強度是可單獨調整的。

根據本揭露的又一態樣，一種可調磁體包含圓柱形金屬體、頂部可調整連接器以及底部可調整連接器。圓柱形金屬體用于傳導磁通量，其中圓柱形金屬體的半徑是可調整的，其中圓柱形金屬體的高度是可調整的。頂部可調整連接器用于調整可調磁體的位置。底部可調整連接器用于調整可調磁體的位置。

附圖說明

當結合隨附附圖進行閱讀時，本揭露發明實施例的詳細描述將能被充分地理解。應注意，根據業界標準實務，各特征并非按比例繪制且僅用于圖示目的。事實上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各特征的尺寸。在說明書及附圖中以相同的標號表示相似的特征。

圖1繪示了根據本揭露一些實施方式的處理腔室的示意圖；