[發(fā)明專利]在非易失性存儲(chǔ)器中確定快速編程字線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810641788.2
• 申請(qǐng)日: 2018-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN109427396B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D.李;E.辛格;A.蓋伊;K.瓦卡蒂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G11C16/08
• 分類號(hào): G11C16/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍

描述了一種技術(shù)，用于確定是否由于字線編程得過快導(dǎo)致當(dāng)將數(shù)據(jù)編程到字線時(shí)的不可校正的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤量，而使得非易失性存儲(chǔ)器裝置是有缺陷的。在一組示例中，由沿著字線施加的一系列電壓脈沖來編程一組存儲(chǔ)器單元，而不鎖定該組存儲(chǔ)器單元。然后進(jìn)行驗(yàn)證操作，以查看在驗(yàn)證電平之上編程的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量是否過大，并且如果過大，則返回錯(cuò)誤狀態(tài)。在其他示例中，引入對(duì)完成編程所需要的電壓脈沖的數(shù)量的下限，并且如果編程完成在少于該數(shù)量的電壓脈沖中，則返回錯(cuò)誤狀態(tài)。對(duì)電壓脈沖的數(shù)量的下限可以是在逐狀態(tài)的基礎(chǔ)上，或者是對(duì)于要完成的所有數(shù)據(jù)狀態(tài)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廣泛用于各種電子裝置，例如蜂窩電話、數(shù)字照相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子設(shè)備、移動(dòng)計(jì)算裝置、服務(wù)器、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器、非移動(dòng)計(jì)算裝置和其他裝置。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以包括非易失性存儲(chǔ)器或易失性存儲(chǔ)器。即使當(dāng)非易失性存儲(chǔ)器未連接到電源(例如電池)時(shí)，非易失性存儲(chǔ)器也允許存儲(chǔ)和保留信息。

隨著存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)密度的增加，維護(hù)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)的完整性變得更具挑戰(zhàn)性。

發(fā)明內(nèi)容

在一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)備包括字線、沿著字線連接的多個(gè)存儲(chǔ)器單元、編程電路、感測(cè)電路和測(cè)試電路。編程電路連接到多個(gè)存儲(chǔ)器單元，并且編程電路配置為在編程操作期間將一系列電壓脈沖施加到字線。感測(cè)電路連接到多個(gè)存儲(chǔ)器單元，并且配置為在一系列電壓脈沖中的電壓脈沖之后對(duì)第一數(shù)據(jù)狀態(tài)進(jìn)行第一驗(yàn)證操作。測(cè)試電路配置為確定存儲(chǔ)器單元的數(shù)量滿足第一驗(yàn)證操作以及在參考電平之上進(jìn)行編程，并且配置為響應(yīng)于目標(biāo)為在超過閾值的參考電平之上進(jìn)行編程的第一數(shù)據(jù)狀態(tài)的存儲(chǔ)器單元的數(shù)量來發(fā)出警報(bào)。

在一些實(shí)施例中，設(shè)備包括連接到公共字線的多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元、編程/驗(yàn)證電路和所連接的控制電路。編程/驗(yàn)證電路連接到多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元，并且配置為通過將多個(gè)電壓脈沖施加到公共字線來進(jìn)行編程操作。控制電路連接到編程/驗(yàn)證電路，并且配置為確定完成編程操作所需要的電壓脈沖的數(shù)量。控制電路配置為響應(yīng)于確定完成編程操作所需要的電壓脈沖的數(shù)量小于閾值來確定錯(cuò)誤狀態(tài)。

在其他實(shí)施例中，設(shè)備包括字線單元(字線單元包括字線和連接到字線的多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器單元)、用于編程非易失性存儲(chǔ)器單元的構(gòu)件、以及用于確定字線是否是有缺陷的構(gòu)件。用于編程非易失性存儲(chǔ)器單元的構(gòu)件將多個(gè)電壓脈沖施加到字線，并且對(duì)非易失性存儲(chǔ)器單元進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)驗(yàn)證操作。用于確定的構(gòu)件基于一個(gè)或多個(gè)驗(yàn)證操作來確定字線是否由于字線單元編程得比基線性能水平快而導(dǎo)致為有缺陷的。

附圖說明

在不同附圖中，類似編號(hào)的元件是公共的組件。

圖1是存儲(chǔ)器裝置的功能性框圖。

圖2是描繪了存儲(chǔ)器系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的框圖。

圖3是單片三維存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的部分的立體圖。

圖4A是具有兩個(gè)平面的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的框圖。

圖4B描繪了存儲(chǔ)器單元的區(qū)塊的部分的俯視圖。

圖4C描繪了存儲(chǔ)器單元的區(qū)塊的部分的截面圖。

圖4D是圖4C的圖示存儲(chǔ)器孔逐漸變小的部分的細(xì)節(jié)圖。

圖4E描繪了選擇柵極層和字線層的視圖。

圖4F是存儲(chǔ)器單元的垂直列的截面圖。

圖4G是多個(gè)NAND串的示意圖。

圖5描繪了閾值電壓分布。

圖6是描繪了將數(shù)據(jù)值賦值給數(shù)據(jù)狀態(tài)的一個(gè)示例的表。

圖7A是描述了用于編程的過程的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。