[發明專利]用于驅動同步整流器的驅動電路和方法及其開關電源

有效

• 申請號: 201810641012.0
• 申請日: 2018-06-21
• 公開（公告）號: CN108847774B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 馮林;葉家佑
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

公開了一種用于驅動同步整流器的驅動電路和方法。同步整流器具有漏端、源端和柵端，同步整流器的漏端和源端之間具有漏源檢測電壓，柵端上具有柵極電壓。當漏源檢測電壓達到一設定的參考電壓時，降低柵極電壓以將漏源檢測電壓保持在另一更低的參考電壓。利用本發明提出的技術方案，同步整流器的實際關斷時刻更接近于理想關斷時刻，可以更有效地防止同步整流器被誤關斷；而且，可以在漏源檢測電壓較大時對其進行調節，利用相同的調節電路更容易實現對同步整流管的調節。

技術領域

本發明涉及電子電路，更具體地，涉及同步整流。

背景技術

在同步整流諧振變換器中，需要采樣同步整流MOS管的漏源電壓，并通過調節電路對漏源電壓進行調節使其維持在預設的閾值，從而保證同步整流諧振變換器的輸出電壓為期望達到的目標電壓。另外，還要將同步整流MOS管的漏源電壓與反向閾值電壓進行比較，當同步整流MOS管的漏源電壓達到反向閾值電壓時，需要將同步整流MOS管關斷，以防止電流反向。

采樣MOS管漏源電壓的方法通常是檢測MOS管的漏端和源端之間的電壓V_DSS，而該漏源檢測電壓V_DSS實際上包括了MOS管的寄生電感LP上的電壓降V_LP，從而無法真實反應MOS管的實際漏源電壓V_DS。特別地，當流過寄生電感的同步整流諧振變換器的副邊電流較大或者同步整流MOS管的寄生電感較大時，寄生電感LP上的電壓降V_LP將會很大，使得漏源檢測電壓V_DSS和MOS管的實際漏源電壓V_DS之間相差很大。

因此，若在漏源檢測電壓V_DSS達到反向閾值電壓時便將同步整流MOS管關斷，此時實際漏源電壓V_DS實質上還未達到反向閾值電壓便已將同步整流MOS管誤關斷，電路效率降低。

一種防止誤觸發的方法是在漏源檢測電壓V_DSS達到預設的閾值電壓時，將同步整流MOS管的柵極電壓降低以提高同步整流MOS管的導通電阻，從而補償由于流經同步整流MOS管的電流降低而造成的實際漏源電壓V_DS增大。這樣，漏源檢測電壓V_DSS將調節在預設的閾值(或者說，漏源檢測電壓V_DSS的增大速度將減小)，在其達到反向閾值電壓而關斷同步整流MOS管時，更接近電流發生反向的真實時刻。

然而，利用上述方法雖然可以降低誤觸發操作，但效果仍不明顯，需要一種可以有效防止誤觸發的方法。

發明內容

依據本發明實施例的一個方面，提出了一種用于驅動同步整流器的驅動電路，同步整流器具有漏端、源端和柵端，同步整流器的漏端和源端之間具有漏源檢測電壓，驅動電路包括：放大電路，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中，放大電路的第一輸入端接收漏源檢測電壓，放大電路的第二輸入端接收第一參考電壓，放大電路的輸出端耦接至同步整流器的柵端，放大電路放大第一參考電壓與漏源檢測電壓之間的差值以在放大電路的輸出端輸出放大信號；以及比較電路，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中，比較電路的第一輸入端接收漏源檢測電壓，比較電路的第二輸入端接收第二參考電壓，比較電路將漏源檢測電壓和第二參考電壓進行比較，并根據比較結果在比較電路的輸出端輸出比較信號以控制放大信號是否提供至同步整流器的柵端，其中，第一參考電壓小于第二參考電壓；以及關斷比較電路，具有第一輸入端、第二輸入端和輸出端，其中，關斷比較電路的第一輸入端接收漏源檢測電壓，關斷比較電路的第二輸入端接收關斷參考電壓，關斷比較電路的輸出端耦接至同步整流器的柵端，關斷比較電路將漏源檢測電壓和關斷參考電壓進行比較，并根據比較結果在關斷比較電路的輸出端輸出關斷信號以控制同步整流器的關斷，其中，關斷參考電壓大于第二參考電壓。