[發(fā)明專利]橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810638970.2
• 申請日: 2018-06-20
• 公開（公告）號: CN108899281A
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 令海陽;劉憲周
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/40
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底；

在所述襯底表面形成一氧化層；

刻蝕所述氧化層以形成具有垂直側(cè)壁的圖案化的氧化層；

在所述圖案化的氧化層上形成一掩膜；

在所述襯底和所述掩膜上形成一層光刻膠，并進(jìn)行光刻形成圖案化的光刻膠；

對所述圖案化的氧化層進(jìn)行濕法刻蝕形成具有弧形側(cè)壁的場板氧化層；

去除所述光刻膠和所述掩膜。

2.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，在所述襯底表面形成一氧化層的步驟之前，還包括在所述阱區(qū)形成P型基極區(qū)、N型源極區(qū)以及用來隔離所述P型基極區(qū)和所述N型源極區(qū)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為1200埃至1500埃。

4.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，所述掩模的厚度為100埃至300埃。

5.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，所述掩模的材料包括氮化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，濕法刻蝕所述圖案化的氧化層的時間為200秒至300秒。

7.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，刻蝕所述圖案化的氧化層所使用的液體為氫氟酸。

8.如權(quán)利要求1所述的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的制備方法，其特征在于，去除掩膜的方法包括，濕法刻蝕去除所述掩膜，刻蝕所述掩模所使用的液體為磷酸。