[發(fā)明專(zhuān)利]微波裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810637523.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109216902B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李宜音;丁景隆;何家齊;林宜宏 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01Q1/38 | 分類(lèi)號(hào): | H01Q1/38;H01Q3/28;H01Q3/34 |
| 代理公司: | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 駱希聰 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微波 裝置 | ||
1.一種微波裝置,其特征在于,包括:
一第一基板,具有一第一表面;
一第一金屬層,該第一金屬層設(shè)置于該第一表面上,且該第一金屬層包含多個(gè)開(kāi)口;
一第二基板,具有一第二表面,且與該第一基板對(duì)應(yīng)設(shè)置,其中該第二表面鄰近該第一表面;
一第二金屬層,該第二金屬層設(shè)置于該第二表面上,該第二金屬層包含多個(gè)電極,該多個(gè)電極對(duì)應(yīng)該多個(gè)開(kāi)口設(shè)置;
一密封壁,位于該第一基板以及該第二基板之間,且該密封壁、該第一基板與該第二基板之間形成一有源區(qū);以及
一調(diào)制材料,填充于該有源區(qū)內(nèi);以及
至少一填充材,設(shè)置于該有源區(qū)內(nèi),其中,該填充材的厚度大于0.3微米且小于該密封壁的高度,且該填充材于該第一表面的投影面積與該有源區(qū)于該第一表面的投影面積的比值介于0.02到0.83之間;
其中,該有源區(qū)包括多個(gè)調(diào)制區(qū)以及多個(gè)泄漏區(qū),該多個(gè)調(diào)制區(qū)為該多個(gè)電極與該第一金屬層重疊的區(qū)域,且該多個(gè)泄漏區(qū)為該多個(gè)開(kāi)口于一疊置方向上所對(duì)應(yīng)的區(qū)域,其中,該填充材不設(shè)置于該多個(gè)調(diào)制區(qū)內(nèi)以及該多個(gè)泄漏區(qū)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的微波裝置,還包含:
一第一保護(hù)層及一第一配向?qū)右佬蛟O(shè)置于該第一金屬層上;
一第二保護(hù)層及一第二配向?qū)右佬蛟O(shè)置于該第二金屬層上,
其中該填充材與該第一配向?qū)蛹霸摰诙湎驅(qū)又辽倨渲兄贿B接。
3.如權(quán)利要求1所述的微波裝置,更包含一第一保護(hù)層設(shè)置于該第一金屬層上,以及一第二保護(hù)層設(shè)置于該第二金屬層上,至少部分該填充材設(shè)置于該第一保護(hù)層與該第一金屬層之間,或該第二保護(hù)層與該第二金屬層之間。
4.如權(quán)利要求1所述的微波裝置,其特征在于,該填充材的材料包含氮化硅、單一或復(fù)合有機(jī)材料、玻璃膠、聚乙烯對(duì)苯二甲酸酯、聚酰亞胺、聚醚、聚酯薄膜、聚乙烯、聚碳酸酯、壓克力、聚酸甲酯或是其組合。
5.如權(quán)利要求1所述的微波裝置,更包含:
一第一電路層,設(shè)置在第二表面上;
一第二電路層,設(shè)置在該第一電路層上;
一第一絕緣層,設(shè)置在該第一電路層與該第二電路層之間;
一第二保護(hù)層,設(shè)置在該第一絕緣層上;以及
一第二絕緣層,設(shè)置在該第二保護(hù)層與該第一絕緣層之間,
其中該填充材的厚度大于該第二保護(hù)層、該第一絕緣層與該第二絕緣層的厚度總和。
6.如權(quán)利要求1所述的微波裝置,其特征在于,該填充材包括多個(gè)間隙結(jié)構(gòu)及多個(gè)突出部,設(shè)置于該有源區(qū)內(nèi),且位于該第一基板與該第二基板之間,該有源區(qū)還包括一非工作區(qū),該非工作區(qū)為該有源區(qū)內(nèi)扣除該多個(gè)調(diào)制區(qū)、該多個(gè)泄漏區(qū)及該多個(gè)間隙結(jié)構(gòu)的部分;
其中,每一該多個(gè)泄漏區(qū)包含一第一區(qū)與至少一第二區(qū),該第一區(qū)為該多個(gè)開(kāi)口的一與對(duì)應(yīng)的該多個(gè)電極的一重疊的部分,該第二區(qū)為該多個(gè)開(kāi)口的一與對(duì)應(yīng)的該多個(gè)電極的一不重疊的部分;以及
其中,該多個(gè)第一區(qū)的投影面積為a41,該多個(gè)第二區(qū)的投影面積為a42,該多個(gè)調(diào)制區(qū)的投影面積為a3,該非工作區(qū)的投影面積為a5,該多個(gè)第一區(qū)的間距為d11,該多個(gè)第二區(qū)的間距為d12,該多個(gè)調(diào)制區(qū)的間距為d3,該多個(gè)突出部設(shè)置于該非工作區(qū)中,該非工作區(qū)的最小間距d5位于下列公式范圍內(nèi)
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