[發明專利]一種發光二極管外延片及其制備方法有效
| 申請號： | 201810634505.1 | 申請日： | 2018-06-20 |
| 公開（公告）號： | CN109065678B | 公開（公告）日： | 2020-04-10 |
| 發明（設計）人： | 洪威威;王倩;周飚;胡加輝 | 申請（專利權）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 制備 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片，所述外延片包括襯底及依次層疊設置在所述襯底上的AlN緩沖層、低溫GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、有源層及P型GaN層，其特征在于，
所述有源層包括交替層疊的壘層與阱層，所述阱層包括InGaN阱層，所述壘層包括依次層疊的InxGa1-xN子壘層、AlaInyN子壘層、AlbGa1-b-zInzN子壘層、AlcGa1-cN子壘層、AlbGa1-b-zInzN子壘層、AlaInyN子壘層、InxGa1-xN子壘層，其中，0＜x＜1，0＜y＜0.5，0＜z＜0.5，0.5＜a＜1，0.5＜b＜1，0＜c＜1，a與y的關系滿足公式：a+y＝1。
2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，0＜x＜1，0＜y＜0.3，0＜z＜0.3，0.7＜a＜1，0.7＜b＜1，0＜c＜1。
3.根據權利要求1或2所述的外延片，其特征在于，x＞y＞z，a＜b＜c。
4.根據權利要求3所述的外延片，其特征在于，a、b、c之間的關系滿足公式：b-a＝c-b。
5.根據權利要求4所述的外延片，其特征在于，(b-a)/a＝d，其中，1.2≤d≤1.5。
6.根據權利要求3所述的外延片，其特征在于，x、y、z之間的關系滿足公式：x-y＝y-z。
7.根據權利要求6所述的外延片，其特征在于，(x-y)/x＝k，其中，0.7≤k≤0.8。
8.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上生長AlN緩沖層；
在AlN緩沖層上生長低溫GaN緩沖層；
在所述低溫GaN緩沖層上生長未摻雜GaN層；
在所述未摻雜GaN層上生長N型GaN層；
在所述N型GaN層上生長有源層；
在所述有源層上生長P型GaN層，
其中，有源層包括交替層疊的壘層與阱層，所述阱層包括InGaN阱層，所述壘層包括依次層疊的InxGa1-xN子壘層、AlaInyN子壘層、AlbGa1-b-zInzN子壘層、AlcGa1-cN子壘層、AlbGa1-b-zInzN子壘層、AlaInyN子壘層、InxGa1-xN子壘層，其中，0＜x＜1，0＜y＜0.5，0＜z＜0.5，0.5＜a＜1，0.5＜b＜1，0＜c＜1，a與y的關系滿足公式：a+y＝1。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華燦光電股份有限公司，未經華燦光電股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810634505.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
