[發(fā)明專利]一種低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810633109.7
• 申請日: 2018-06-20
• 公開（公告）號: CN108899644B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葛磊;趙田野
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市深大唯同科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/52
• 代理公司: 深圳市龍成聯(lián)合專利代理有限公司 44344
• 代理人: 趙婷婷

1.一種低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元，包括基板(1)，所述基板(1)的一個面上設(shè)有至少一層支撐介質(zhì)，其特征在于：包括功分饋電網(wǎng)絡(luò)(7)，基板(1)在遠(yuǎn)離支撐介質(zhì)的面設(shè)置功分饋電網(wǎng)絡(luò)(7)；

每層支撐介質(zhì)遠(yuǎn)離基板(1)的面上都設(shè)有輻射貼片；

還包括導(dǎo)電饋電柱(4)，用于分別穿透基板(1)和支撐介質(zhì)，連接輻射貼片和饋電網(wǎng)絡(luò)；

所述基板(1)在遠(yuǎn)離支撐介質(zhì)的面設(shè)有第二金屬地，所述功分饋電網(wǎng)絡(luò)(7)配合第二金屬地共同形成GCPW饋電網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)；

所述基板(1)在靠近支撐介質(zhì)的面設(shè)有焊錫層(2)和第一焊盤(3)，所述焊錫層(2)與第一焊盤(3)之間為隔離的絕緣設(shè)置；

所述支撐介質(zhì)靠近基板(1)的面設(shè)有第一金屬地和第二焊盤；第一金屬地和第二焊盤分別與焊錫層(2)和第一焊盤(3)重疊焊接在一起；

導(dǎo)電饋電柱(4)采用在基板和支撐介質(zhì)內(nèi)部做金屬化過孔的形式實現(xiàn)導(dǎo)電，金屬化過孔分別與所述第一焊盤(3)和所述第二焊盤相接觸，以實現(xiàn)完整的饋電導(dǎo)通。

2.如權(quán)利要求1所述的低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元，其特征在于：所述支撐介質(zhì)的高度為0.002-0.1個工作波長。

3.如權(quán)利要求1所述的低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元，其特征在于：所述支撐介質(zhì)的介電常數(shù)為1.0-16.0。

4.如權(quán)利要求1所述的低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元，其特征在于：所述功分饋電網(wǎng)絡(luò)(7)包括保持一定間距的兩組功分器以及兩組連接功分器的輸入端，功分器的兩末端分別連接輸出端；

所述功分饋電網(wǎng)絡(luò)(7)中同組的功分器末端的輸出端連線后，不同組輸出端的兩條連線的夾角為90度。

5.如權(quán)利要求4所述的低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元，其特征在于：所述功分饋電網(wǎng)絡(luò)(7)中同組的輸入端到兩個輸出端的幅度差小于0.5dB，相位差160～200度。

6.如權(quán)利要求4所述的低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元，其特征在于：所述輻射貼片的垂直投影在基板(1)上，投影面積覆蓋了功分器和輸出端。

7.如權(quán)利要求6所述的低剖面、小型化、高隔離度的雙極化貼片天線單元，其特征在于：所述輻射貼片的形狀包括多邊形或者圓形。