[發明專利]基板保持件和使用了該基板保持件的基板處理裝置有效
| 申請號: | 201810631924.X | 申請日: | 2018-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN109148342B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | 大岡雄一;吉岡伸高 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 使用 處理 裝置 | ||
1.一種基板保持件,其具有:頂板;底板;以及多根支柱,其以端部與該頂板的外緣部和該底板的外緣部連結的方式設置,該基板保持件能夠將基板保持成多層,在該基板保持件中,
通過對至少所述頂板和所述頂板附近的所述支柱的外側進行切削,使基于所述頂板以及所述支柱的與所述頂板連結的部分中的位于最外側的部分的回轉半徑形成得比基于所述底板以及所述支柱的與所述底板連結的部分中的位于最外側的部分的回轉半徑小。
2.根據權利要求1所述的基板保持件,其中,
所述支柱以外形與所述頂板的外形和所述底板的外形一致的方式與所述頂板的主面的外周端和所述底板的主面的外周端連結。
3.根據權利要求2所述的基板保持件,其中,
所述頂板和所述底板具有圓形部分和從該圓形部分向徑向外側突出而伸出來的支柱設置部。
4.根據權利要求3所述的基板保持件,其中,
與所述頂板連接的所述支柱的頂部的所述徑向上的壁厚比與所述底板連接的所述支柱的基部的所述徑向上的壁厚薄,所述頂板的外形形成得比所述底板的外形小所述頂部的所述壁厚與所述基部的所述壁厚之差的量。
5.根據權利要求4所述的基板保持件,其中,
所述支柱在所述頂部附近的預定上部區域中具有壁厚在所述徑向上變薄而成的薄壁部。
6.根據權利要求5所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部具有越接近所述頂部、所述徑向上的壁厚越薄的形狀。
7.根據權利要求6所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部具有越接近所述頂部、所述徑向上的壁厚逐漸變薄的錐形形狀。
8.根據權利要求6所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部具有越接近所述頂部、所述徑向上的壁厚階段性地變薄的臺階形狀。
9.根據權利要求5~8中任一項所述的基板保持件,其中,
所述預定上部區域形成于所述基板保持件的全長的1/10以下的區域。
10.根據權利要求5~8中任一項所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部的沿著周向的寬度形成得比所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的沿著周向的寬度寬。
11.根據權利要求10所述的基板保持件,其中,
所述薄壁部以截面積與所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面積相等的方式寬幅地形成。
12.根據權利要求5~8中任一項所述的基板保持件,其中,
所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面形狀是圓形,所述薄壁部成為對圓的外側進行切削而成的形狀。
13.根據權利要求5~8中任一項所述的基板保持件,其中,
所述支柱的除了所述薄壁部以外的部分的截面形狀是具有預定的底邊和預定的高度的梯形,所述薄壁部是底邊比所述預定的底邊寬、且高度比所述預定的高度低的梯形。
14.根據權利要求1~8中任一項所述的基板保持件,其中,
所述多根支柱沿著鉛垂方向形成有多個能夠水平地載置基板的槽,所述多根支柱具有至少3根基板保持用支柱,該基板保持用支柱具有能夠將多個基板保持成多層的槽構造。
15.根據權利要求14所述的基板保持件,其中,
所述多根支柱還具有加強用支柱,該加強用支柱不具有所述槽構造。
16.根據權利要求14所述的基板保持件,其中,
該基板保持件還具有將所述頂板和所述基板保持用支柱連結的加強用分支部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





