[發明專利]蝕刻劑組合物、以及使用其制造金屬圖案和薄膜晶體管基板的方法

有效

• 申請號: 201810631619.0
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN109097774B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 鄭鐘鉉;樸弘植;梁熙星;金奎佈;申賢哲;李秉雄;李相赫;李大雨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司;株式會社東進世美肯
• 主分類號: C23F1/02
• 分類號: C23F1/02;C23F1/18;C23F1/26;H01L27/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.蝕刻劑組合物，其包括：

過硫酸鹽；

氟化物；

基于四個氮的環狀化合物；

基于一個氮的環狀化合物；

含硫原子的基于三個氮的環狀化合物；和

水，

其中所述蝕刻劑組合物進一步包括磺酸化合物、硫酸氫鹽、以及磷酸和/或磷酸鹽，并且包括相對于所述蝕刻劑組合物的總重量的：

5-20重量％的所述過硫酸鹽；

0.1-5重量％的所述硫酸氫鹽；

0.1-3重量％的所述磺酸化合物；

0.01-3重量％的所述磷酸和/或所述磷酸鹽；

0.01-1重量％的所述氟化物；

0.1-1重量％的所述基于四個氮的環狀化合物；

0.01-3重量％的所述基于一個氮的環狀化合物；

0.01-1重量％的所述含硫原子的基于三個氮的環狀化合物；和

所述水，其量使得整個組合物的總重量對應于100重量％。

2.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述基于一個氮的環狀化合物包括選自噻唑和5-氧代脯氨酸的至少一種。

3.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述含硫原子的基于三個氮的環狀化合物包括選自如下的至少一種：3-巰基-4-甲基-4H-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇、和1H-1,2,4-三唑-3-硫醇。

4.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述含硫原子的基于三個氮的環狀化合物對所述基于四個氮的環狀化合物的重量比為1:6-1:1。

5.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述磺酸化合物包括選自如下的至少一種：甲磺酸、苯磺酸、對甲苯磺酸、磺酸銨、氨基磺酸、環狀磺酸化合物、和基于烴的磺酸化合物。

6.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述硫酸氫鹽包括選自如下的至少一種：硫酸氫銨、硫酸氫鈉、硫酸氫鋰、和硫酸氫鉀。

7.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述磷酸鹽包括選自如下的至少一種：磷酸銨、磷酸氫二銨、磷酸二氫銨、磷酸鉀、磷酸氫二鉀、磷酸二氫鉀、磷酸鈉、磷酸氫二鈉、和磷酸二氫鈉。

8.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述過硫酸鹽包括選自如下的至少一種：過硫酸鉀、過硫酸鈉、和過硫酸銨。

9.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述氟化物包括選自如下的至少一種：氫氟酸、氟化鈉、氟氫化鈉、氟化銨、氟氫化銨、氟硼酸銨、氟化鉀、氟氫化鉀、氟化鋁、氟硼酸、氟化鋰、氟硼酸鉀、氟化鈣、和六氟硅酸。

10.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述基于四個氮的環狀化合物包括選自如下的至少一種：氨基四唑、甲基四唑、和巰基甲基四唑。

11.如權利要求1所述的蝕刻劑組合物，其中所述蝕刻劑組合物能夠蝕刻由鈦膜和銅膜組成的多層膜。

12.用于制造金屬圖案的方法，所述方法包括：

在基板上形成包括鈦和銅的金屬膜；

在所述金屬膜上形成光刻膠膜圖案；

用所述光刻膠膜圖案作為掩模，使用根據權利要求1-11任一項所述的蝕刻劑組合物將所述金屬膜圖案化；和

除去所述光刻膠膜圖案。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述金屬膜包括：

包括鈦的第一金屬膜；和

在所述第一金屬膜上并且包括銅的第二金屬膜。

14.用于制造薄膜晶體管基板的方法，所述方法包括：

在基板上形成柵極線和連接至所述柵極線的柵電極；

形成與所述柵極線絕緣并且與所述柵極線交叉的數據線、連接至所述數據線的源電極、以及與所述源電極間隔開的漏電極；和

形成連接至所述漏電極的像素電極，其中所述柵極線和所述柵電極的形成包括，

形成包括鈦和銅的金屬膜，

在所述金屬膜上形成光刻膠膜圖案，

用所述光刻膠膜圖案作為掩模，使用根據權利要求1-11任一項的蝕刻劑組合物將所述金屬膜圖案化，和

除去所述光刻膠膜圖案。