[發(fā)明專利]一種顯示裝置及單色微型發(fā)光二極管的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810631492.2 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110620127B | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉振國;宋志成;岳春波 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海信視像科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/15 | 分類號(hào): | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 266555 山東省青*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示裝置 單色 微型 發(fā)光二極管 制作方法 | ||
本發(fā)明公開一種顯示裝置及單色微型發(fā)光二極管的制作方法,包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板,位于第一基板之上呈陣列分布的單色微型發(fā)光二極管器件,以及位于第二基板面向各單色微型發(fā)光二極管器件一側(cè)的量子點(diǎn)彩膜層;各單色微型發(fā)光二極管外延片與量子點(diǎn)彩膜層中的各子像素單元一一對(duì)應(yīng)。由于僅需要采用單色微型發(fā)光二極管而不再需要三色的微型發(fā)光二極管,因此不存在將多種Micro LED芯片進(jìn)行巨量轉(zhuǎn)移的問題,由此可以大大降低由于轉(zhuǎn)移難度高造成的良率低的問題。同時(shí)僅采用單色微型發(fā)光二極管,各微型發(fā)光二極管的壽命與衰減速率均一致,由此可以避免由于不同顏色的Micro LED的壽命和衰減速率不致而造成的顯示色偏。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示裝置及單色微型發(fā)光二極管的制作方法。
背景技術(shù)
微型發(fā)光二極管(Micro Light-Emitting Diode,簡稱Micro LED)技術(shù),即LED微縮化和矩陣化技術(shù)。指的是在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列,其中,每一個(gè)LED可定址、單獨(dú)驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮,將像素點(diǎn)距離從毫米級(jí)降低至微米級(jí)。Micro LED的耗電量僅為液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)的十分之一,與有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting Diode,簡稱OLED)一樣屬于自發(fā)光,色彩飽和度接近OLED。Micro LED的體積和重量可以再縮小,兼具低功耗、快速反應(yīng)的特質(zhì),成為本領(lǐng)域的研究重點(diǎn)。
然而,Micro LED顯示裝置在制作過程中需要采用CMOS集成電路制造工藝先制成LED顯示驅(qū)動(dòng)電路,然后再在集成電路上制作LED陣列。其中驅(qū)動(dòng)電路依賴于單晶硅作為襯底,而不同顏色的Micro LED在制作時(shí)采用的襯底有所不同,那么在制作過程中就存在著將三色巨量的Micro LED在襯底間轉(zhuǎn)移上的步驟,存在轉(zhuǎn)移難度高,同時(shí)三色Micro LED的使用壽命和衰減速率不一致也會(huì)使顯示面板出現(xiàn)色偏的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種顯示裝置及單色微型發(fā)光二極管的制作方法,用以降低MicroLED的轉(zhuǎn)移難度,解決顯示面板產(chǎn)生的色偏問題。
第一方面,本發(fā)明提供一種顯示裝置,包括:相對(duì)設(shè)置的第一基板和第二基板,位于所述第一基板之上呈陣列分布的單色微型發(fā)光二極管器件,以及位于所述第二基板面向各所述單色微型發(fā)光二極管器件一側(cè)的量子點(diǎn)彩膜層;其中,
所述單色微型發(fā)光二極管器件包括外延片;所述量子點(diǎn)彩膜層包括:多個(gè)子像素單元;各所述外延片與各所述子像素單元一一對(duì)應(yīng)。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中,所述外延片在所述第一基板的正投影與對(duì)應(yīng)的所述子像素單元在所述第一基板的正投影完全重疊。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中,還包括:位于各所述外延片之間的間隔層;所述間隔層在所述第一基板的正投影的圖形為網(wǎng)格狀圖形;所述間隔層,用于隔離各所述外延片。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中,所述單色微型發(fā)光二極管還包括:位于所述間隔層背離所述第一基板一側(cè)的條形的第一電極,以及位于所述第一基板與所述外延片之間的條形的第二電極;
各所述第一電極分別與一列所述外延片對(duì)應(yīng),各所述第一電極分別與對(duì)應(yīng)的一列所述外延片相接觸;各所述第一電極在所述第一基板的正投影位于所述間隔層在所述第一基板的正投影之內(nèi);
各所述第二電極分別與一行所述外延片對(duì)應(yīng),每行所述外延片在所述第一基板的正投影與對(duì)應(yīng)的所述第二電極在所述第一基板的正投影具有重疊區(qū)域。
在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中,在本發(fā)明提供的上述顯示裝置中,所述量子點(diǎn)彩膜層還包括:位于各所述子像素單元之間的遮光層;
所述遮光層在所述第一基板的正投影位于所述間隔層在所述第一基板的正投影之內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





