[發(fā)明專利]基于雙猝滅效應(yīng)的雙波長比率電致化學(xué)發(fā)光法檢測(cè)As(III)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810629682.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108802134B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邱建丁;于祿丹;梁汝萍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南昌大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N27/30 | 分類號(hào): | G01N27/30;G01N21/76 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 趙艾亮 |
| 地址: | 330031 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 雙猝滅 效應(yīng) 波長 比率 化學(xué) 發(fā)光 檢測(cè) as iii | ||
1.基于雙猝滅效應(yīng)的雙波長比率電致化學(xué)發(fā)光法檢測(cè)As(III),其特征在于,包括以下步驟:
(1)將Au-g-C3N4修飾的玻碳電極浸入濃度為100μM的Ars-3溶液中,孵育過夜,制成Ars-3/Au-g-C3N4修飾的玻碳電極;
(2)將步驟(1)中的Ars-3/Au-g-C3N4修飾的玻碳電極在50μL體積比為20%的PDDA溶液中浸泡1小時(shí)取出,用超純水清洗電極后,向電極表面滴加不同濃度的As(III),室溫下孵育30分鐘,用磷酸鹽緩沖溶液淋洗電極,去除非特異性吸附在電極表面的As(III),制成PDDA/As(III)/Ars-3/Au-g-C3N4修飾的玻碳電極;
(3)將步驟(2)中的PDDA/As(III)/Ars-3/Au-g-C3N4修飾的玻碳電極作為工作電極來構(gòu)成三電極系統(tǒng),將三電極系統(tǒng)置于含有0.1M Na2S2O8和0.15mM Ru(bpy)32+的磷酸鹽緩沖溶液中,檢測(cè)其ECL信號(hào),根據(jù)Ru(bpy)32+與Au-g-C3N4之間的ECL的信號(hào)比值與As(III)濃度的線性關(guān)系來實(shí)現(xiàn)對(duì)As(III)的檢測(cè);其中,所述的檢測(cè)ECL信號(hào)是通過MPI-B型多參數(shù)化學(xué)分析測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試PDDA/As(III)/Ars-3/Au-g-C3N4修飾的玻碳電極在-1.5~0V電位范圍內(nèi)的ECL信號(hào),并分別記錄Au-g-C3N4在460nm和Ru(bpy)32+在620nm的ECL強(qiáng)度-時(shí)間曲線;所述Ru(bpy)32+與Au-g-C3N4之間的ECL的信號(hào)比值與As(III)濃度的線性關(guān)系是指Au-g-C3N4在460nm和Ru(bpy)32+在620nm的ECL信號(hào)強(qiáng)度的對(duì)數(shù)比值與As(III)濃度對(duì)數(shù)之間的線性關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的基于雙猝滅效應(yīng)的雙波長比率電致化學(xué)發(fā)光法檢測(cè)As(III),其特征在于,步驟(1)中的Au-g-C3N4修飾的玻碳電極的制備方法,包括如下步驟:
(1)稱量2g雙氰胺放置于磁舟中,在550℃下于管式爐中煅燒4小時(shí),得到淡黃色塊體C3N4固體,稱取100mg塊體C3N4研磨成極細(xì)的粉末,加入到100mL超純水中超聲剝離16小時(shí),將超聲后的混合溶液在8000rpm轉(zhuǎn)速下離心,分離未剝離完全的塊體C3N4,取上清液,于60℃下在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中進(jìn)行濃縮,得到2mg/mL的乳白色g-C3N4納米片溶液;
(2)向步驟(1)制備的2mL g-C3N4納米片溶液中加入20μL 10mM的氯金酸溶液,超聲10分鐘混勻,繼續(xù)攪拌2小時(shí),向上述混合溶液中快速加入25μL 10mM的硼氫化鈉溶液,攪拌20分鐘,再逐滴加入10μL 10mM的檸檬酸鈉溶液,攪拌30分鐘,將得到的混合溶液在12000rpm轉(zhuǎn)速下離心,將所得產(chǎn)物Au-g-C3N4納米復(fù)合物保存于4℃冰箱中;
(3)分別用粒徑為1.0、0.3和0.05μm的α-Al2O3糊將玻碳電極打磨光滑,在乙醇和超純水中超聲清洗后用氮?dú)獯蹈桑瑢?μL Au-g-C3N4溶液滴涂在處理干凈的玻碳電極表面,自然晾干,制成Au-g-C3N4修飾的玻碳電極。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南昌大學(xué),未經(jīng)南昌大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810629682.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





