[發明專利]異質結場效應晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 201810628897.0
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN108807530B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 劉新科;王磊;敖金平
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/285
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 袁文英

1.一種異質結場效應晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底；

在所述襯底上制備AlGaN/GaN異質外延層；

在所述AlGaN/GaN異質外延層上制備源電極和漏電極；

利用磁控濺射法在所述AlGaN/GaN異質外延層上沉積p型氧化物，制得p型氧化物柵極，所述p型氧化物選自p型氧化銅、p型氧化亞銅、p型氧化鎳和p型氧化鎂中的任意一種。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述p型氧化物為p型氧化亞銅，沉積所述p型氧化物的步驟包括：以銅靶為銅源，以氬氣與氧氣的混合氣體為濺射氣體和反應氣體，進行磁控濺射處理。

3.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述氬氣與所述氧氣的體積比為15：3-4。

4.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射處理的反應功率為10-100W；和/或

所述磁控濺射處理的反應壓強為0.2-0.3Pa。

5.如權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射處理之前，還包括用氬氣對所述銅靶表面進行去氧化物處理的步驟。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述去氧化物處理的步驟包括：以150-160W的濺射功率，通氬氣10-12min。

7.如權利要求1-6任一項所述的制備方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石。

8.一種如權利要求1-6任一項所述方法的制備的異質結場效應晶體管，包括AlGaN/GaN異質外延層，所述AlGaN/GaN異質外延層上設置有源電極和漏電極；其特征在于，所述AlGaN/GaN異質外延層上還設置有p型氧化物組成的p型氧化物柵極帽層結構。

9.如權利要求8所述的異質結場效應晶體管，其特征在于，所述p型氧化物選自p型氧化銅、p型氧化亞銅、p型氧化鎳和p型氧化鎂中的任意一種。