[發明專利]一種發光二極管外延片的制備方法及其發光二極管外延片

有效

• 申請號: 201810628861.2
• 申請日: 2018-06-19
• 公開（公告）號: CN109065683B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 王群;郭炳磊;葛永暉;董彬忠;李鵬;王江波
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

采用化學氣相沉積技術在襯底上依次生長緩沖層、N型半導體層和應力釋放層；

對所述應力釋放層的表面進行伽馬射線輻照，降低所述應力釋放層的電阻率，伽馬射線輻照的吸收劑量為50kGy～150kGy；當所述應力釋放層包括多個氮化銦鎵層和多個氮化鎵層時，輻照伽馬射線避免氮化銦的產生；當所述應力釋放層的材料采用鎵銦鋁氮時，輻照伽馬射線避免氮化鋁鎵、氮化銦鎵、氮化鋁和氮化銦的產生；

采用化學氣相沉積技術在所述應力釋放層上依次生長有源層和P型半導體層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，伽馬射線輻照時所述應力釋放層所處環境的壓力為50Torr～200Torr。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，伽馬射線輻照時所述應力釋放層所處環境的溫度為20℃～80℃。

4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述對所述應力釋放層的表面進行伽馬射線輻照，降低所述應力釋放層的電阻率，包括：

產生伽馬射線，并將伽馬射線照射所述應力釋放層的表面。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述產生伽馬射線，包括：

放射性同位素的原子核衰變或發生核反應，產生伽馬射線。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述放射性同位素為Cs-137或Co-60。

7.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述產生伽馬射線，包括：

超短激光脈沖和電離氣體發生反應，產生伽馬射線。

8.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、緩沖層、N型半導體層、應力釋放層、有源層和P型半導體層，所述緩沖層、所述N型半導體層、所述應力釋放層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上，其特征在于，所述應力釋放層層疊有所述有源層的表面為經過伽馬射線輻照的表面，伽馬射線輻照的吸收劑量為50kGy～150kGy；當所述應力釋放層包括多個氮化銦鎵層和多個氮化鎵層時，輻照伽馬射線避免氮化銦的產生；當所述應力釋放層的材料采用鎵銦鋁氮時，輻照伽馬射線避免氮化鋁鎵、氮化銦鎵、氮化鋁和氮化銦的產生。