[發明專利]成膜方法、存儲介質和成膜系統在審
| 申請號: | 201810628226.4 | 申請日: | 2018-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN109148270A | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 吉原健太郎;吉田勇一;柴田直樹;吉原孝介 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/16 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;徐飛躍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗蝕膜 凹凸的 成膜 表面形成 成膜系統 目標膜 涂敷膜 厚膜 晶片 圖案 面內均勻性 涂敷涂敷液 存儲介質 抗蝕液 基板 膜厚 涂敷 | ||
1.一種成膜方法,其在表面形成有凹凸的基板上涂敷涂敷液而形成涂敷膜,其中所述凹凸通過規定的圖案形成,所述成膜方法的特征在于,包括:
在所述基板的表面上涂敷所述涂敷液,形成厚膜的步驟,其中所述厚膜是所述表面上的所述涂敷膜的凹凸的深度為規定值以下的比所述涂敷膜的目標膜厚厚的所述涂敷膜;和
除去所述厚膜的表面,形成所述目標膜厚的涂敷膜的步驟。
2.如權利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述厚膜的膜厚為所述涂敷膜的所述目標膜厚的1.5倍以上。
3.如權利要求2所述的成膜方法,其特征在于:
所述厚膜的膜厚為所述涂敷膜的所述目標膜厚的1.8倍以上。
4.一種計算機可讀取的存儲介質,其特征在于:
存儲有程序,該程序在控制成膜系統的控制部的計算機上運行,使該成膜系統實施權利要求1~3中任一項所述的成膜方法。
5.一種成膜系統,其在表面形成有凹凸的基板上涂敷涂敷液而形成涂敷膜,其中所述凹凸通過規定的圖案形成,所述成膜系統的特征在于,包括:
涂敷處理裝置,其在所述基板上進行涂敷液的涂敷處理,形成所述涂敷膜;
表面處理裝置,其進行使所述涂敷膜的表面變質的表面處理;
顯影裝置,其對所述表面處理后的所述涂敷膜進行顯影處理;和
控制部,其控制所述涂敷處理裝置,使得通過所述涂敷處理形成厚膜,其中所述厚膜是所述表面上的所述涂敷膜的凹凸的深度為規定值以下的比所述涂敷膜的目標膜厚厚的所述涂敷膜,并且,控制所述表面處理裝置和所述顯影裝置,使得通過所述表面處理和所述顯影處理,除去所述厚膜的表面,形成所述目標膜厚的所述涂敷膜。
6.如權利要求5所述的成膜系統,其特征在于:
所述表面處理裝置是作為所述表面處理進行對所述涂敷膜的表面涂敷酸的酸處理的酸處理裝置。
7.如權利要求5所述的成膜系統,其特征在于:
所述表面處理裝置是作為所述表面處理進行對所述涂敷膜照射紫外線的紫外線照射處理的紫外線處理裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





