[發(fā)明專利]采用負電壓和柵壓自舉的低電壓電荷傳輸電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810627194.6 | 申請日： | 2018-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN108809313A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳珍海;許媛;侯麗;何寧業(yè);劉琦;寧仁霞;呂海江;魏敬和 | 申請（專利權(quán)）人： | 黃山學(xué)院 |
| 主分類號： | H03M1/34 | 分類號： | H03M1/34 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 楊大慶;葉綠林 |
| 地址： | 245000 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 柵壓自舉 負電壓 電荷傳輸電路 低電壓 電容 負電壓產(chǎn)生電路 集成電路設(shè)計 信號處理電路 正負電壓時鐘 產(chǎn)生電路 傳輸電路 電荷傳輸 電壓開關(guān) 現(xiàn)有信號 信號擺幅 增壓電路 受限 傳輸 應(yīng)用 | ||
1.一種采用負電壓和柵壓自舉的低電壓電荷傳輸電路，其特征是：包括一個電荷傳輸MOSFET管S、一個柵壓自舉增壓電路、一個負電壓傳輸MOSFET管B、一個電壓開關(guān)K、一個負電壓產(chǎn)生電路、一個正負電壓時鐘產(chǎn)生電路、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、PMOS管M3、第一電容C1和第二電容C2；所述采用負電壓和柵壓自舉的低電壓電荷傳輸電路對應(yīng)連接關(guān)系為：第一NMOS管M1的柵端連接到電荷待傳輸節(jié)點Ni，即電荷傳輸MOSFET管S的源極，還連接到柵壓自舉增壓電路的電壓輸入端；第一NMOS管M1的源端和襯底連接到地電平，第一NMOS管M1的漏端連接到第二NMOS管M2的源端；第二NMOS管M2的漏端連接到PMOS管M3的漏端和電荷傳輸MOSFET管S的柵端，第二NMOS管M2的柵端連接到第一偏置電壓，第二NMOS管M2的襯底接地電平；PMOS管M3的柵端連接到第二偏置電壓，PMOS管M3的源端和襯底連接到柵壓自舉增壓電路的電壓輸出端Vboost；電荷傳輸目標節(jié)點No，即電荷傳輸MOSFET管S的漏極，通過第二電容C2接電荷傳輸控制信號Ck1n；電荷待傳輸節(jié)點Ni通過第一電容C1接電荷傳輸控制信號Ck1；電荷傳輸MOSFET管S的襯底連接到電壓開關(guān)K的上端，電荷傳輸MOSFET管S的襯底還連接到負電壓傳輸MOSFET管B的漏端；電壓開關(guān)K的下端接地電平，其導(dǎo)通和關(guān)斷受電荷傳輸控制信號Ck1控制；負電壓傳輸MOSFET管B的襯底和源端連接到負電壓產(chǎn)生電路的輸出端，負電壓傳輸MOSFET管B的柵端連接到正負電壓時鐘產(chǎn)生電路的輸出端；負電壓產(chǎn)生電路的第一和第二輸入端分別連接電荷傳輸控制信號Ck1和電荷傳輸控制信號Ck1n，正負電壓時鐘產(chǎn)生電路的第一和第二輸入端分別連接電荷傳輸控制信號Ck1和電荷傳輸控制信號Ck1n；柵壓自舉增壓電路的時鐘輸入端連接電荷傳輸控制信號Ck1；其中，述電荷傳輸控制信號Ck1和電荷傳輸控制信號Ck1n為高電平不交疊脈沖信號；所述高電平為大于零電位的正電壓；所述地電平為零電位；所述負電位為小于地電平的負電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述采用負電壓和柵壓自舉的低電壓電荷傳輸電路，其特征在于：當進行電荷傳輸時，所述柵壓自舉增壓電路處于增壓狀態(tài)，所述電荷傳輸MOSFET管S的柵極為高電平VDD+VNi，電荷電壓傳輸MOSFET管S處于導(dǎo)通狀態(tài)；當電荷傳輸結(jié)束后，所述柵壓自舉增壓電路處于充電狀態(tài)，所述電荷傳輸MOSFET管S的柵極接地電平，所述電荷傳輸MOSFET管S處于關(guān)斷狀態(tài)；其中，VDD為電源電壓，VNi為MOSFET管的源極電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述輸入信號擺幅增強型信號傳輸電路，其特征在于：當進行電荷傳輸時，所述負電壓傳輸MOSFET管B的柵極接高電平，負電壓傳輸MOSFET管B處于導(dǎo)通狀態(tài)，所述電荷傳輸MOSFET管S的襯底接負電壓；當電荷傳輸結(jié)束后，所述負電壓傳輸MOSFET管B的柵極接負電壓，所述負電壓傳輸MOSFET管B處于關(guān)斷狀態(tài)，所述電荷傳輸MOSFET管S的襯底接地電平。
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