[發明專利]一種自動陶瓷柱柵陣列植柱機的植柱方法有效
| 申請號: | 201810625044.1 | 申請日: | 2018-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN108807188B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發明(設計)人: | 吳華豐;高攀;于瑞善 | 申請(專利權)人: | 重慶群崴電子材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 重慶項乾光宇專利代理事務所(普通合伙) 50244 | 代理人: | 馬光輝 |
| 地址: | 408102 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 自動 陶瓷 陣列 植柱機 方法 | ||
1.一種自動陶瓷柱柵陣列植柱機,其特征在于:包括振動臺,所述振動臺的前端面上設置有觸控屏操作界面和參數設置面板,振動臺的上表面設置有XY工作臺,所述XY工作臺的上表面通過模具鎖緊裝置安裝有蜂窩模具,模具鎖緊裝置中部設有容納蜂窩模具的植柱槽,且模具鎖緊裝置其中一側開有連通植柱槽和接料槽的清柱口;
所述蜂窩模具包括:
容料篩盤,其能夠容置于植柱槽中,且所述容料篩盤上設有容料凹槽;
振動篩盤,其具有振動篩槽,且振動篩槽中部設有對應容料凹槽的振動篩網;
焊接下模,其設有放置CCGA器件的卡槽;
焊接上蓋,其形狀與焊接下模相匹配,焊接上蓋的表面設有匹配容料篩盤的上蓋凹槽,上蓋凹槽中部設有同時匹配容料凹槽和卡槽的上蓋篩網。
2.根據權利要求1所述的自動陶瓷柱柵陣列植柱機,其特征在于:所述焊柱的直徑為0.2~2mm,高度為0.4~4mm;焊柱為純銅。
3.根據權利要求1所述的自動陶瓷柱柵陣列植柱機,其特征在于:所述焊柱的直徑為0.4~0.6mm,高度為2~3mm;焊柱由合金材料制成,各組分的重量百分比分別為:鉛90%,錫10%。
4.根據權利要求1所述的自動陶瓷柱柵陣列植柱機,其特征在于:所述焊柱為外部帶有銅帶的焊料柱,直徑為0.4~0.6mm,高度為2~3mm;焊柱由合金材料制成,各組分的重量百分比分別為:鉛80%,錫20%。
5.一種根據權利要求1所述自動陶瓷柱柵陣列植柱機的植柱方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)、打開植柱機電源,觀察參數設置是否正確;
(2)、將容料篩盤放到植柱槽中,容料凹槽朝上;
(3)、在容料篩盤上放入振動篩盤,振動篩槽朝上,往振動篩槽中倒入焊柱;
(4)、按下植柱停止鍵,待振動篩槽中的焊柱通過振動篩網進入容料凹槽中;
(5)、取下振動篩盤,將容料凹槽表面多余的焊柱通過請柱口清除到接料槽中,然后按清柱停止鍵,待焊柱清理干凈后取下容料篩盤;
(6)將涂好錫膏的CCGA器件,放入焊接下模的卡槽里,并蓋上焊接上蓋,焊接上蓋的上蓋凹槽朝外;
(7)將步驟(6)中組合在一起的具有上蓋凹槽的一面蓋在容料篩盤上,然后整體翻面,通過振動臺的抖動直到容料篩盤中的焊柱都落下,然后取下容料篩盤;
(8)將步驟(7)中組合在一起的焊接下模和焊接上蓋一起放入焊接冶具中焊接;
(9)焊接完成后取出模具,待冷卻后取下焊接上蓋,再取出焊接下模中的CCGA器件,從而完成植柱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





