[發明專利]鍍膜方法、金屬外殼及終端設備

有效

• 申請號: 201810622556.2
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN108796442B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 劉兵
• 申請（專利權）人: 北京小米移動軟件有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 王思楠;劉芳

1.一種鍍膜方法，其特征在于，包括：

在終端設備的金屬外殼表面沉積過渡金屬層；

在所述金屬外殼表面沉積裝飾膜層，所述裝飾膜層的材料包括：預設靶材和/或目標氣體；

在沉積所述裝飾膜層的過程中，將預設物質沉積在所述金屬外殼表面，所述預設物質為高透過率的物質，所述預設物質的透過率大于或者等于預設透過率；

所述在沉積所述裝飾膜層的過程中，將預設物質沉積在所述金屬外殼表面包括：

在第一時刻啟動沉積金屬外殼的裝飾膜層以及沉積預設物質，在第二時刻結束沉積所述裝飾膜層和所述預設物質。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在終端設備的金屬外殼表面沉積裝飾膜層，包括：在第一時刻啟動在終端設備的金屬外殼表面沉積裝飾膜層，在第二時刻結束沉積所述裝飾膜層；

所述在沉積所述裝飾膜層的過程中，將所述預設物質沉積在所述金屬外殼表面，包括：在所述第一時刻啟動將所述預設物質沉積在所述金屬外殼表面，在所述第二時刻結束沉積預設物質；

其中，所述第一時刻早于所述第二時刻。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述預設物質為類金剛石DLC。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述DLC中碳原子與其他原子形成共價鍵時，雜化類型SP³的體積含量大于或者等于第一閾值，并且小于或者等于第二閾值。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一閾值為20％，所述第二閾值為80％。

6.一種金屬外殼，其特征在于，

所述金屬外殼表面沉積有裝飾膜層，所述裝飾膜層的材料包括：預設靶材和/或目標氣體；

所述金屬外殼表面與所述裝飾膜層之間沉積有過渡金屬層；

所述裝飾膜層中沉積有預設物質，所述預設物質的透過率大于或者等于預設透過率；

其中，所述裝飾膜層和所述預設物質的沉積過程通過在第一時刻啟動沉積所述裝飾膜層以及沉積所述預設物質，在第二時刻結束沉積所述裝飾膜層和所述預設物質。

7.根據權利要求6所述的金屬外殼，其特征在于，所述預設物質均勻分布在所述裝飾膜層中。

8.根據權利要求6或7所述的金屬外殼，其特征在于，所述預設物質為類金剛石DLC。

9.根據權利要求8所述的金屬外殼，其特征在于，所述DLC中碳原子與其他原子形成共價鍵時，雜化類型SP³的體積含量大于或者等于第一閾值，并且小于或者等于第二閾值。

10.根據權利要求9所述的金屬外殼，其特征在于，所述第一閾值為20％，所述第二閾值為80％。

11.一種終端設備，其特征在于，包括：權利要求6-10任一項所述的金屬外殼。