[發明專利]高效電池退火工藝有效
| 申請號: | 201810622327.0 | 申請日: | 2018-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN108878289B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | 袁華斌;王晨;符亮;張凱勝;姚偉忠;孫鐵囤 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 朱麗莎 |
| 地址: | 213000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 高效 電池 退火 工藝 | ||
1.一種高效電池退火工藝,其特征在于:所述退火工藝用于除去以水和三甲基鋁為反應物生成的三氧化二鋁在硅片背面沉積形成鈍化層過程中、在鈍化層內部殘留的水汽及硅片內部雜質,包括如下步驟:
1)進舟:管內溫度控制在600℃±10℃,通有5±0.05L/min的氮氣,壓力值為100±0.2Kpa,時間800s,進舟速度為800±10mm/min;
2)抽真空:管內溫度控制在600℃±10℃,無氣體通入,真空泵工作,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間300s;
3)檢漏:管內溫度控制在600℃±10℃,無氣體通入,真空泵停止工作,保證爐管內壓力值為100±0.2Kpa,時間60s;
4)一次升溫:管內設定溫度控制在850℃±10℃,升溫速率為15±1℃/min,通有2±0.05L/min的氮氣,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間1000s;
5)恒溫:管內設定溫度控制在850℃±10℃,并通有2±0.05L/min的氮氣,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間600s;
6)降溫:水冷梯度降溫,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間1800s;
7)充氣:管內溫度控制在760℃±10℃,降溫速率為20±5℃/min,通有3±0.05L/min的氮氣,保證爐管內壓力值為100±0.2Kpa,時間200s;
8)出舟:管內溫度控制在800℃±10℃,通有2±0.05L/min的氮氣,爐管內壓力值為100±0.2Kpa,時間800s,出舟速度為800±10mm/min。
2.如權利要求1所述的高效電池退火工藝,其特征在于:所述步驟6)中的水冷梯度降溫為:先降溫至750℃±3℃,降溫速率為2℃/min,降溫后恒溫5min,再降溫至650℃±3℃,降溫速率為2℃/min,降溫后恒溫5min,再降溫至550℃±3℃,降溫速率為2℃/min,恒溫5min,最后降溫至450℃±3℃,降溫速率為2℃/min,降溫后恒溫5min,并通有2±0.05L/min的氮氣,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間1800s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





