[發明專利]太陽能電池片濕氧擴散工藝在審
| 申請號: | 201810620346.X | 申請日: | 2018-06-15 |
| 公開(公告)號: | CN108831958A | 公開(公告)日: | 2018-11-16 |
| 發明(設計)人: | 袁華斌;王晨;符亮;張凱勝;姚偉忠;孫鐵囤 | 申請(專利權)人: | 常州億晶光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 朱麗莎 |
| 地址: | 213000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池片 擴散工藝 濕氧 擴散技術領域 濕氧氧化 均勻性 氧化膜 硅片 沉積 | ||
1.一種太陽能電池片濕氧擴散工藝,其特征在于:包括如下步驟:
1)進舟:管內溫度控制在800℃±10℃,通有5±0.05L/min的氮氣,壓力值為100±0.2Kpa,時間1120s,進舟速度為800±10mm/min;
2)抽真空:管內溫度控制在800℃±10℃,無氣體通入,真空泵工作,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間300s;
3)檢漏:管內溫度控制在800℃±10℃,無氣體通入,真空泵停止工作,保證爐管內壓力值為100±0.2Kpa,時間60s;
4)干氧氧化:管內溫度控制在800℃±10℃,通有1.4±0.05L/min的大氮,1.0±0.05L/min的大氧,保證爐管內壓力值為15±0.2Kpa,時間500s;
5)一次通源:管內溫度控制在800℃±10℃,通有0.8±0.05L/min的大氮,0.2±0.05L/min的大氧,以及0.8±0.05L/min的小氮,其中小氮通過溫度在20±1℃的源瓶,將源帶出,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間310s;
6)一次推結:管內溫度控制在810℃±10℃,升溫速率為5±1℃/min,通有2±0.05L/min的氮氣,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間205s;
7)二次通源:管內溫度控制在810℃±10℃,通有0.8±0.05L/min的大氮,0.2±0.05L/min的大氧,以及0.8±0.05L/min的小氮,其中小氮通過溫度在20±1℃的源瓶,將源帶出,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間310s;
8)二次推結:管內溫度控制在825℃±10℃,升溫速率為5±1℃/min,通有2.0±0.05L/min的大氮,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間480s;
9)三次通源:管內溫度控制在825℃±10℃,通有0.8±0.05L/min的大氮,0.2±0.05L/min的大氧,以及0.8±0.05L/min的小氮,其中小氮通過溫度在20±1℃的源瓶,將源帶出,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間200s;
10)三次推結:管內溫度控制在845℃±10℃,升溫速率為5±1℃/min,通有2.0±0.05L/min的大氮,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間300s;
11)恒溫氧化:管內溫度控制在845℃±10℃,通有0.5±0.05L/min的大氮,2.0±0.05L/min的小氧,其中小氧通過溫度在20±1℃的水瓶,將水帶出,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間300s;
12)降溫氧化:管內溫度控制在760℃±10℃,降溫速率為6±2℃/min,通有0.5±0.05L/min的大氮,2.0±0.05L/min的小氧,其中小氧通過溫度在20±1℃的水瓶,將水帶出,保證爐管內壓力值為10±0.2Kpa,時間2000s;
13)充氣:管內溫度控制在760℃±10℃,降溫速率為20±5℃/min,通有3±0.05L/min的氮氣,保證爐管內壓力值為100±0.2Kpa,時間200s;
14)出舟:管內溫度控制在800℃±10℃,通有2±0.05L/min的氮氣,爐管內壓力值為100±0.2Kpa,時間1000s,出舟速度為500±10mm/min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于常州億晶光電科技有限公司,未經常州億晶光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810620346.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:太陽能電池層壓方法及太陽能電池
- 下一篇:一種太陽能電池組件層壓制備工藝
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





