[發明專利]硼硫化鋇中遠紅外非線性光學晶體及制備方法和應用

有效

• 申請號: 201810618675.0
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN108588840B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 潘世烈;李廣卯;武奎;李昊;楊志華
• 申請（專利權）人: 中國科學院新疆理化技術研究所
• 主分類號: C30B29/46
• 分類號: C30B29/46;C30B13/00;C01B35/14
• 代理公司: 烏魯木齊中科新興專利事務所(普通合伙) 65106
• 代理人: 張莉

1.一種硼硫化鋇中遠紅外非線性光學晶體的制備方法，其特征在于該晶體的化學式為BaB₂S₄，分子量為287.20，非中心對稱結構單晶體，晶系為正交晶系，空間群為Cc，晶胞參數a=6.665(3)?，b=15.727(6)?，c=6.039(2)?，β=110.987(4)°，Z=4，單胞體積V=591.0(4)?³，具體操作按下列步驟進行：

a、在含水量和含氧氣量均為0.01-0.1ppm的充有惰性氣體為氮氣的密閉容器內按摩爾比1:3:4；1:4:6；1:2:4；1:2:5；1:3:5；1:4:6或1:3:6稱取硫化鋇或單質鋇，單質硼，單質硫混合均勻，放入干凈的石墨坩堝中，然后裝入內表面渡碳的石英玻璃管中，將石英管在真空度為10^-5-10^-3Pa抽真空后封口；

b、將步驟a中的封好的石英管放入高溫爐中，以升溫速率為35-40℃/h升至900-950℃，保溫，保溫時間為15-20h，然后降至室溫，時間100-150h；

c、再以3-5℃/h的速率冷卻降溫，得到硼硫化鋇BaB₂S₄中遠紅外非線性光學晶體。

2.如權利要求1所述的硼硫化鋇中遠紅外非線性光學晶體的制備方法，其特征在于步驟b中真空容器加熱升溫至900℃。

3.如權利要求1所述的硼硫化鋇中遠紅外非線性光學晶體的制備方法，其特征在于步驟c中硼硫化鋇冷卻降溫的速率為4℃/h。

4.如權利要求1所述方法獲得的硼硫化鋇中遠紅外非線性光學晶體在制備紅外波段激光變頻晶體、紅外電-光裝置、紅外通訊器件或紅外激光制導器件中的用途。