[發明專利]一種用于光催化的半導體納米材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201810618584.7
• 申請日: 2018-06-15
• 公開（公告）號: CN108579722A
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 姬曉旭;趙慶懷;王愛華;程藝苑;盛至銘
• 申請（專利權）人: 南陽師范學院
• 主分類號: B01J23/18
• 分類號: B01J23/18;B01J37/34;B01J37/08;B01J37/10
• 代理公司: 鄭州知己知識產權代理有限公司 41132
• 代理人: 季發軍

1.一種用于光催化的半導體納米材料，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：氯化亞錫甲醇液5-12份、酸性溶液22-35份、氯化鉍溶液1-5份、二甲基乙醇胺水溶液0.5-1.5份、氫氧化鈉水溶液70-85份；其中，所述酸性溶液為草酸溶液、去離子水和無水乙醇按照重量比為2:3:10的比例混合而成。

2.根據權利要求1所述的用于光催化的半導體納米材料，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：氯化亞錫甲醇液6-10份、酸性溶液25-32份、氯化鉍溶液2-4份、二甲基乙醇胺水溶液0.7-1.2份、氫氧化鈉水溶液75-82份。

3.根據權利要求2所述的用于光催化的半導體納米材料，其特征在于，包括以下按照重量份的原料：氯化亞錫甲醇液8份、酸性溶液30份、氯化鉍溶液3份、二甲基乙醇胺水溶液1份、氫氧化鈉水溶液80份。

4.根據權利要求1或2或3所述的用于光催化的半導體納米材料，其特征在于，所述氫氧化鈉水溶液的濃度為0.1-3mol/L；所述二甲基乙醇胺水溶液的濃度為0.001-0.01mol/L。

5.根據權利要求3所述的用于光催化的半導體納米材料，其特征在于，所述草酸的濃度為3mol/L；所述氯化鉍溶液的濃度為0.02mol/L；所述氯化亞錫甲醇液的濃度為0.4mol/L。

6.根據權利要求5所述的用于光催化的半導體納米材料，其特征在于，所述氯化鉍溶液的制備方法為將氯化鉍加入到的適量的聚乙二醇中，以20-45kHz的超聲頻率進行超聲分散10-30min，即得所述氯化鉍溶液。

7.一種如權利要求1-6任一所述的用于光催化的半導體納米材料的制備方法，其特征在于，步驟如下：

1)按照重量份稱取氯化亞錫甲醇液，在15-25℃條件下邊攪拌邊加入氯化鉍溶液，送入超聲波微波組合反應儀中，在常溫下進行處理2-10min，得混合液A；

2)按照重量份稱取酸性溶液，在15-25℃條件下邊攪拌邊滴加步驟1)中得到的混合液A，繼續攪拌30-50min，得混合液B；

3)將步驟2)中得到的混合液B陳化4-10h，過濾后用去乙醇和離子水交替清洗，然后放入真空干燥箱中在65℃下進行干燥4小時，得混合料C；

4)將步驟3)中得到的混合料C置入馬弗爐中，以6℃/分鐘的升溫速率升溫至500℃進行鍛燒4-6h，得煅燒樣D；

5)將步驟4)中得到的煅燒樣D與二甲基乙醇胺水溶液混合均勻，置入內襯聚四氟乙烯材料的不銹鋼反應釜中，加入氫氧化鈉水溶液，在110-130℃條件下反應時間18-20小時，反應結束后冷卻至常溫，過濾取沉淀物，用0.1mol/L的稀硝酸水溶液洗滌，再用去離子水洗滌，然后置于真空干燥箱中烘干、粉碎，即得。

8.根據權利要求7所述的用于光催化的半導體納米材料的制備方法，其特征在于，步驟1)中，所述的超聲波微波組合反應儀的處理條件為：超聲波頻率為30kHz，超聲功率為20-80W，微波頻率為2000MHz，微波功率為20-80W。

9.根據權利要求8所述的用于光催化的半導體納米材料的制備方法，其特征在于，步驟2)中，所述攪拌的攪拌速率為200-400r/min；所述滴加的速率為60滴/分鐘。

10.一種如權利要求1-6任一所述的用于光催化的半導體納米材料在制備納米材料中的用途。