[發(fā)明專(zhuān)利]一種導(dǎo)電復(fù)合材料及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810617838.3
• 申請(qǐng)日: 2018-06-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108986949A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭翰;白安洋;董仕晉;于洋;曹宇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京夢(mèng)之墨科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01B1/02
• 分類(lèi)號(hào): H01B1/02;H01B1/06;H01B1/12;H01B13/00
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，按重量百分比計(jì)，所述導(dǎo)電復(fù)合材料由30％～80％導(dǎo)電基材，20％～40％導(dǎo)電調(diào)節(jié)粉體，0％～5％表面活性劑，0％～5％改性劑，0％～10％粘結(jié)劑和0％～5％溶劑組成，所述導(dǎo)電基材為熔點(diǎn)低于300℃的低熔點(diǎn)金屬，或者，所述導(dǎo)電基材為熔點(diǎn)低于300℃的低熔點(diǎn)金屬及其氧化物的混合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，所述低熔點(diǎn)金屬為金屬單質(zhì)或合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，

所述金屬單質(zhì)為鈉單質(zhì)、鉀單質(zhì)、銣單質(zhì)、銫單質(zhì)、鎵單質(zhì)、銦單質(zhì)、錫單質(zhì)、鋅單質(zhì)、鉍單質(zhì)中的一種；

所述合金包括鈉元素、鉀元素、銣元素、銫元素、鎵元素、銦元素、錫元素、鋅元素、鉍元素、汞元素、鉛元素、鎘元素、銀元素、鋁元素、銅元素、銻元素中的至少兩種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，

所述金屬單質(zhì)為鎵單質(zhì)、銦單質(zhì)或者錫單質(zhì)；

所述合金為鎵銦合金、鎵銦錫合金、鎵錫合金、鎵鋅合金、鎵銦鋅合金、鎵錫鋅合金、鎵銦錫鋅合金、鉍銦合金、鉍錫合金、鉍銦錫合金、鉍銦鋅合金、鉍錫鋅合金、鉍銦錫鋅合金中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，所述導(dǎo)電調(diào)節(jié)粉體包括金屬化合物粉體、無(wú)機(jī)非金屬粉體、導(dǎo)電聚合物粉體中的一種或幾種。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，

所述金屬化合物粉體包括氧化鐵、四氧化三鐵、氧化鈦、氧化鈷、氧化鋅、氧化鎂、磷化鎵、硫化鋅、釹鐵硼中的一種或幾種；

所述無(wú)機(jī)非金屬粉體包括蒙脫土、凹凸棒石黏土、硅藻土、蛭石、石墨、富勒烯、碳納米管、石墨烯、碳纖維、硼、碳化硼、二氧化硅中的一種或幾種；

所述導(dǎo)電聚合物粉體包括聚乙炔、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩中的一種或幾種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，所述導(dǎo)電調(diào)節(jié)粉體中顆粒的形狀為片狀或者球狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，所述導(dǎo)電調(diào)節(jié)粉體中顆粒的粒徑為20nm～100μm。

9.一種導(dǎo)電復(fù)合材料的制備方法，用于制備如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電復(fù)合材料，其特征在于，包括：

步驟S1、將熔點(diǎn)低于300℃的低熔點(diǎn)金屬加熱至其熔點(diǎn)以上，直至上述低熔點(diǎn)金屬完全熔化形成均一液體；

步驟S2、將熔化后的低熔點(diǎn)金屬降溫至室溫，直接作為導(dǎo)電基材，或者，對(duì)降溫至室溫的低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行氧化處理，得到低熔點(diǎn)金屬及其氧化物的混合物，以作為導(dǎo)電基材；

步驟S3、通過(guò)原電池法、球磨法或者高頻超聲法中的一種或幾種，將導(dǎo)電調(diào)節(jié)粉體、表面活性劑、改性劑、粘結(jié)劑和溶劑按重量比例與所述導(dǎo)電基材充分混合，過(guò)濾后得到導(dǎo)電復(fù)合材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，步驟S2中，對(duì)降溫至室溫的低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行氧化處理包括：

通過(guò)氧氣和惰性氣體的混合氣氛對(duì)低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行氧化處理；或者，通過(guò)添加氧化劑對(duì)低熔點(diǎn)金屬進(jìn)行氧化處理。