[發明專利]低溫多晶硅薄膜的制作方法、低溫多晶硅薄膜及低溫多晶硅TFT基板

在審

• 申請號: 201810616025.2
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN108831894A
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 張瑞軍;盧馬才;王松
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/268;H01L21/77;H01L29/16
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;程曉

1.一種低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成非晶硅薄膜層(30)；

步驟S2、在所述非晶硅薄膜層(30)上沉積形成一折射層(40)，在該折射層(40)表面形成多個凸形的或凹形的弧面結構(401)；所述折射層(40)的材料為氮化硅；

步驟S3、采用準分子激光束(90)從所述折射層(40)照射到非晶硅薄膜層(30)上，使所述非晶硅薄膜層(30)結晶形成低溫多晶硅薄膜(39)，照射過程中所述準分子激光束(90)通過折射層(40)的弧面結構(401)時會產生散光效應或聚光效應。

2.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中在折射層(40)表面形成多個弧面結構(401)的具體過程為：在所述折射層(40)上涂布光阻材料，并通過一道半透光光罩(70)對該光阻材料進行曝光顯影處理，得到表面具有多個光阻弧面(801)的光阻層(80)；以所述光阻層(80)為遮蔽層，對所述折射層(40)進行蝕刻處理，對應所述多個光阻弧面(801)在所述折射層(40)的表面上形成多個弧面結構(401)，然后去除所述光阻層(80)。

3.如權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成的光阻弧面(801)為凸形光阻弧面，在所述折射層(40)的表面上形成多個弧面結構(401)為凸形弧面結構。

4.如權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成的光阻弧面(801)為凹形光阻弧面，在所述折射層(40)的表面上形成多個弧面結構(401)為凹形弧面結構。

5.如權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中采用干蝕刻方式對所述折射層(40)進行蝕刻處理，對所述折射層(40)進行蝕刻處理的蝕刻氣體包含氧氣、六氟化硫、五氟乙烷及四氟化碳中的一種或多種。

6.如權利要求5所述的低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中對所述折射層(40)進行蝕刻處理的蝕刻氣體為氧氣和六氟化硫的組合。

7.如權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中形成的折射層(40)的厚度為在所述折射層(40)上涂布的光阻材料的厚度為2-3μm。

8.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述步驟S3還包括在結晶形成低溫多晶硅薄膜(39)之后，去除所述折射層(40)。

9.一種低溫多晶硅薄膜(39)，其特征在于，采用如權利要求1-8中任一項所述的低溫多晶硅薄膜的制備方法制得。

10.一種低溫多晶硅薄膜TFT基板，其特征在于，包括襯底基板(10)、形成于所述襯底基板(10)上的有源層(35)、覆蓋所述有源層(35)的柵極絕緣層(50)、設于柵極絕緣層(50)上的柵極(60)、覆蓋柵極(60)的層間絕緣層(70)及設于層間絕緣層(70)上的源漏極(75)；

所述有源層(35)由權利要求9所述的低溫多晶硅薄膜(39)構成；

所述層間絕緣層(70)和柵極絕緣層(50)在對應于所述有源層(35)兩端的上方設有過孔(55)，所述源漏極(75)通過所述過孔(55)與有源層(35)相接觸。