[發(fā)明專利]量子點(diǎn)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810615107.5
• 申請(qǐng)日: 2018-06-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108998000B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王允軍;李鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/02
• 分類號(hào): C09K11/02;C09K11/88;H01L33/50
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供Zn前體；

在280-340℃下，向所述Zn前體中依次加入Se前體和Cd前體，以形成CdZnSe量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)具有梯度過(guò)渡層結(jié)構(gòu)，在所述量子點(diǎn)的具體組成中，從內(nèi)到外，Zn元素的含量先減少后增加，或者Zn元素的含量逐漸增加；

以物質(zhì)的量計(jì)，所述Zn前體、Se前體、Cd前體的投料比為5：(2~4)：0.2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于：在280-340℃下，向所述Zn前體中依次加入Se前體和Cd前體，再加入預(yù)定量的S前體，以形成CdZnSeS量子點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)的制備方法，其特征在于：以物質(zhì)的量計(jì)，所述S前體的投料量占所述S前體和Se前體總投料量的10%~90%。

4.一種量子點(diǎn)組合物，包括高分子基質(zhì)和量子點(diǎn)，其特征在于：所述量子點(diǎn)為根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的制備方法獲得的量子點(diǎn)，所述量子點(diǎn)占量子點(diǎn)組合物總質(zhì)量的5‰~10‰。

5.一種光致發(fā)光器件，包括光轉(zhuǎn)換元件，其特征在于：所述光轉(zhuǎn)換元件中包含根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的制備方法獲得的量子點(diǎn)。

6.一種電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層，其特征在于：所述發(fā)光層中包含發(fā)光物質(zhì)，所述發(fā)光物質(zhì)包括根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的制備方法獲得的量子點(diǎn)。