[發明專利]MOS管快速驅動電路

在審

• 申請號: 201810614901.8
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN108923622A
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 李水冰;程美紅;朱萬明
• 申請（專利權）人: 湖北德普電氣股份有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242
• 代理人: 廉海濤

本發明提出了一種MOS管快速驅動電路，其中控制信號經放大后，由變壓器初級傳至次級，驅動MOS管工作；設置電容器C3，提供MOS管導通瞬間的大電流，實現MOS管的快速驅動導通；設置二級管D2，提供了一個盡可能低阻抗的通路供MOS管柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷，且關斷期間驅動電路提供了一定的負電壓避免受到干擾產生誤導通。

技術領域

本發明涉及MOS管技術領域，尤其涉及一種MOS管快速驅動電路。

背景技術

MOSFET由于開關頻率高、易并聯、所需驅動功率低等優點已成為開關電源最常用的功率開關器件之一。而驅動電路的好壞直接影響開關電源工作的可靠性及性能指標。功率MOS管屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加的電壓超過其閾值電壓就會導通。由于MOSFET存在結電容，關斷時其漏源兩端電壓的突然上升將會通過結電容在柵源兩端產生干擾電壓。常用的互補驅動電路的關斷回路阻抗小，關斷速度雖快，但不能提供負壓，故其抗干擾性較差。

發明內容

有鑒于此，本發明提出了一種能實現快速導通、柵源極間電容電壓快速泄放的MOS管快速驅動電路。

本發明提出的MOS管快速驅動電路，包括脈沖變壓器U1、電容器C3、電阻器R2和二級管D2，脈沖變壓器U1外接脈沖電源且依次與電容器C3、電阻器R2、NMOS管柵極G、NMOS管源極S電性連接形成電回路，二級管D2正極電性連接NMOS管源極S，二級管D2負極電性連接NMOS管漏極D。

在此基礎上，優選的，還包括電阻器R1、二級管D1、電容器C1、擊穿二極管D3、三極管T1和電容器C2，其中，電阻器R1、二級管D1相互并聯后與電容器C1串聯，電阻器R1、二級管D1分別與電容器C3、電阻器R2之間的節點電性連接，電容器C1與脈沖變壓器U1、NMOS管源極S之間的節點電性連接，擊穿二極管D3負極與二級管D1、電容器C1之間的節點電性連接、正極與三極管T1基極電性連接，三極管T1集電極與電阻器R2、NMOS管柵極G之間的節點電性連接、三極管T1發射極與脈沖變壓器U1、NMOS管源極S之間的節點電性連接。

進一步優選的，還包括擊穿二極管D4和擊穿二極管D5，穿二極管D4負極與電阻器R2、NMOS管柵極G之間的節點電性連接，穿二極管D4正極與擊穿二極管D5正極電性連接，擊穿二極管D5負極與脈沖變壓器U1、NMOS管源極S之間的節點電性連接。

更進一步優選的，還包括電阻R3，其一端分別與電阻器R2、NMOS管柵極G之間的節點電性連接、另一端與脈沖變壓器U1、NMOS管源極S之間的節點電性連接。

本發明的MOS管快速驅動電路相對于現有技術具有以下有益效果：

(1)其中控制信號經放大后，由變壓器初級傳至次級，，產生相應脈沖信號，驅動MOS管工作；

(2)設置電容器C3，提供MOS管導通瞬間的大電流，實現MOS管的快速驅動導通；

(3)設置二級管D2，提供了一個盡可能低阻抗的通路供MOS管柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷，且關斷期間驅動電路提供了一定的負電壓避免受到干擾產生誤導通。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明MOS管快速驅動電路的電路圖。

具體實施方式