[發明專利]制造半導體器件的方法和清洗襯底的方法

有效

• 申請號: 201810613449.3
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN109817513B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 李中杰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種清洗襯底的方法，包括：

在襯底上執行等離子體處理；

將包括尺寸改性材料的溶液施加在襯底上，其中，所述襯底上設置有通過所述等離子體處理形成的顆粒，所述尺寸改性材料包括可聚合材料；

由所述等離子體處理形成的所述顆粒和所述尺寸改性材料在所述襯底上生成具有比所述等離子體處理形成的顆粒更大尺寸的尺寸改性顆粒；以及

從所述襯底去除所述尺寸改性顆粒。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述尺寸改性材料包括在生成所述尺寸改性顆粒時附接至所述等離子體處理形成的顆粒的表面的表面改性材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述尺寸改性材料是具有通式SiX(CH₃)_n(OR)_3-n的硅烷偶聯劑，其中X是偶聯至Si的官能團，R是烷氧基，并且n為0、1、2或3。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，X是選自由乙烯基、環氧基、甲基丙烯酰氧基、丙烯酰氧基、氨基和巰基組成的組中的一種。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述烷氧基是選自由甲氧基、乙氧基、二烷氧基和三烷氧基組成的組中的一種。

6.根據權利要求3所述的方法，其中，官能團X直接鍵合至Si或通過具有小于18的碳數的烷基鏈連接。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述烷基鏈具有直鏈。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，通過施加熱生成所述尺寸改性材料。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述尺寸改性材料包括選自由聚丙烯酸、纖維素和聚合物表面活性劑組成的組中的一種。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述聚合物是平均分子量在從1000至4000000的范圍內的聚丙烯酸。

11.根據權利要求8所述的方法，其中：

所述尺寸改性材料包括可聚合材料，并且

所述方法還包括通過施加熱量或光來誘導聚合，從而生成所述尺寸改性顆粒。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，從所述襯底去除所述尺寸改性顆粒包括施加有機溶劑或施加包括NH₄OH和H₂O₂的水性溶液。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，從所述襯底去除所述尺寸改性顆粒還包括：在施加有機溶劑或施加包括NH₄OH和H₂O₂的水性溶液之后，施加水，從而沖洗所述襯底。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，在尺寸改性之前的所述等離子體處理形成的顆粒的平均顆粒尺寸在從0.1nm至40nm的范圍內。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述尺寸改性顆粒的平均尺寸在從50nm至1000nm的范圍內。

16.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

對設置在半導體晶圓上的一個或多個層實施等離子體處理；

在所述半導體晶圓上方施加包括尺寸改性材料的溶液，其中，由所述等離子體處理引起的顆粒設置在所述半導體晶圓上，所述尺寸改性材料包括可聚合材料；

從由所述等離子體處理引起的顆粒和所述尺寸改性材料在所述半導體晶圓上生成具有比由所述等離子體處理引起的顆粒更大尺寸的尺寸改性顆粒；以及

從所述半導體晶圓去除所述尺寸改性顆粒。