[發明專利]用于運行半導體存儲器的方法和設備

在審

• 申請號: 201810606505.0
• 申請日: 2018-06-13
• 公開（公告）號: CN109085998A
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: A.奧厄;J.帕萊巴斯;U.黑勒
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧永杰;申屠偉進

用于運行半導體存儲器（22）的方法（10），其特征在于以下特征：?半導體存儲器（22）根據（11）所述半導體存儲器（22）的所設置的應用在第一運行狀態（12）中和/或第二運行狀態（13）中被運行；?在所述第一運行狀態（12）中，所述半導體存儲器（22）存儲所述應用的機器代碼（24）；和?在所述第二運行狀態（13）中，所述半導體存儲器（22）存儲所述應用的應用數據（25）。

技術領域

本發明涉及一種用于運行半導體存儲器的方法。本發明此外涉及相應的微控制器（μC）、相應的計算機程序以及相應的存儲介質。

背景技術

在微電子設備中，每種(jedweder)數據存儲器被稱為半導體存儲器，其包括在半導體晶體之中或之上的微電子存儲結構。根據現有技術的半導體存儲器被配套（komplettieren）到集成電路，其能夠存儲以二進制電子開關狀態的形式的數據。

更新的開發力求于，將從傳統的磁芯存儲器已知的存儲原理以微電子的方式轉用（übertragen）到高密度的非易失性存儲器。有關的技術作為磁阻式直接存取存儲器（magnetoresistive random-access memory（磁阻隨機存取存儲器），MRAM）對于專業人員而言是已知的。

DE19843350A1公開電子器件，尤其是芯片元件，其具有：至少一個被布置在基片上的第一磁阻元件，其履行傳感器功能；和至少一個被布置在基片上的第二磁阻元件，其履行存儲器功能。

發明內容

本發明提供按照獨立權利要求的用于運行半導體存儲器的方法、相應的微控制器、相應的計算機程序以及相應的存儲介質。

一種實施方式在此以如下基本思想為基礎：常規的電子控制設備尤其是在機動車電子設備中根據應用地提出對要么閃存存儲器（例如在發動機控制的情況下）的要么易失性直接存取存儲器（例如在雷達應用的情況下或用于電池組控制）的容量的高要求。

所提出的方案此外考慮如下狀況：MRAM可能替代根據現有技術所使用的閃存存儲器。這樣的磁性存儲器的特性是非常高的循環次數（Zyklenzahl），因為其改寫并不像是在閃存或相變存儲器（phase change memory, PCM）的情況下對該材料進行負載（belasten）。

所建議的解決方案的優點在于：單個芯片可以以特定的邊緣條件被用于RAM并且被用作代碼存儲器（Code-Speicher），因為每種應用利用磁性存儲器的其他特性。

通過在從屬權利要求中所提及的措施，獨立權利要求中所說明的基本思想的有利的擴展方案和改善方案是可能的。因此可以規定：非易失性存儲器（non-volatile memory（非揮發性記憶體），NVM）應用相關地被用于機器代碼或被用作RAM替代者（RAM-Ersatz）。這在閃存存儲器的情況下或者在PCM的情況下都不是毫無問題地可能的，因為能夠實現的循環次數和寫入速度過小。

按照另一方面可以規定：將NVM有選擇地作為具有相對小數目的寫入循環（Schreibzyklen）的代碼存儲器在發動機控制的范疇內來利用或者作為RAM例如用于雷達應用，其要求以大約2 Mbyte每15毫秒的數據速率的直至600百萬的寫入循環，但是為此僅需要低于50毫秒的保留（Retention）。

這種變型方案利用該系統的特性：應以低于50毫秒的周期持續時間來處理新的數據并且就此而言并不需要，將數據更長地保持可用。出于該原因，在這樣的應用情況下，寫入循環的數目對保留的影響基本上是無關緊要的。以相似的方式，例如電池組控制系統也可以從本發明的構型方案中獲益。

按照另一方面，可以在按照本發明的微芯片上附加地設置易失性直接存取存儲器。如此來獲得的芯片能夠在最不同的范圍內使用。

附圖說明

在附圖中示出本發明的實施例并且在接下來的描述中對其進一步闡述。其中：