[發(fā)明專利]形成電容掩模的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810605875.2
• 申請日: 2018-06-13
• 公開（公告）號: CN110600429B
• 公開（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張峰溢;李甫哲;林盈志;林剛毅
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239;H01L21/027
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種形成電容掩模的方法，包含有下述步驟。首先，形成一塊狀犧牲圖案以及多個長條狀犧牲圖案于一掩模層上。接著，形成間隙壁于塊狀犧牲圖案以及此些長條狀犧牲圖案的側(cè)壁。接續(xù)，移除此些長條狀犧牲圖案但保留塊狀犧牲圖案。續(xù)之，填入一材料于此些間隙壁之間以及塊狀犧牲圖案上，其中材料具有一平坦頂面。然后，在填入材料之后，形成一圖案化光致抗蝕劑，覆蓋塊狀犧牲圖案以及此些間隙壁的一部分，但暴露出此些間隙壁的另一部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種形成電容掩模的方法，且特別是涉及一種以犧牲圖案形成動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的電容掩模的方法。

背景技術(shù)

隨機(jī)存取存儲器(RAM：Random Access Memory)使用時可以讀取數(shù)據(jù)也可以寫入數(shù)據(jù)，當(dāng)電源關(guān)閉以后數(shù)據(jù)立刻消失。由于隨機(jī)存取存儲器的數(shù)據(jù)更改容易，所以一般應(yīng)用在個人計算機(jī)作為暫時存儲數(shù)據(jù)的存儲器。隨機(jī)存取存儲器又可以細(xì)分為「動態(tài)(Dynamic)」與「靜態(tài)(Static)」兩種。其中，「動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM：Dynamic RAM)」是以1個晶體管加上1個電容來存儲1個位(1bit)的數(shù)據(jù)，而且使用時必須要周期性地補(bǔ)充電源來保持存儲的內(nèi)容，故稱為「動態(tài)(Dynamic)」。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器構(gòu)造較簡單(1個晶體管加上1個電容來存儲1個位的數(shù)據(jù))使得存取速度較慢(電容充電放電需要較長的時間)，但是成本也較低，因此一般都制作成對容量要求較高但是對速度要求較低的存儲器，例如：個人計算機(jī)主機(jī)板上通常使用的主存儲器(main memory)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提出一種形成電容掩模的方法，其形成犧牲圖案于掩模層上方，以防止掩模層在圖案化成電容掩模時受損。

本發(fā)明提供一種形成電容掩模的方法，包含有下述步驟。首先，形成一塊狀犧牲圖案以及多個長條狀犧牲圖案于一掩模層上。接著，形成間隙壁于塊狀犧牲圖案以及此些長條狀犧牲圖案的側(cè)壁。接續(xù)，移除此些長條狀犧牲圖案但保留塊狀犧牲圖案。續(xù)之，填入一材料于此些間隙壁之間以及塊狀犧牲圖案上，其中材料具有一平坦頂面。然后，在填入材料之后，形成一圖案化光致抗蝕劑，覆蓋塊狀犧牲圖案以及此些間隙壁的一部分，但暴露出此些間隙壁的另一部分。

基于上述，本發(fā)明提出一種形成電容掩模的方法，其在一掩模層上形成一塊狀犧牲圖案以及多個長條狀犧牲圖案，形成間隙壁于塊狀犧牲圖案以及此些長條狀犧牲圖案的側(cè)壁，之后移除此些長條狀犧牲圖案但保留塊狀犧牲圖案。如此一來，本發(fā)明不需要額外制作工藝，即可在蝕刻暴露出的掩模層而圖案化形成掩模時，避免塊狀犧牲圖案下方的掩模層受損。

再者，本發(fā)明在移除此些長條狀犧牲圖案但保留塊狀犧牲圖案之后，填入一材料于此些間隙壁之間以及塊狀犧牲圖案上，之后才形成一圖案化光致抗蝕劑覆蓋部分材料，因而可避免圖案化光致抗蝕劑殘留于間隙壁之間。

附圖說明

圖1為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖3為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖4為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖5為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖6為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖7為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖8為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖；

圖9為本發(fā)明優(yōu)選實施例中形成電容掩模的方法的剖面示意圖。

主要元件符號說明

10、20：圖案化的光致抗蝕劑