[發明專利]在氣相反應器中合成硅-碳復合材料有效
| 申請號: | 201810604877.X | 申請日: | 2018-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN109088056B | 公開(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發明(設計)人: | J.E.朗;H.維格斯;C.舒爾斯;H.奧爾特納;J.科瓦塞維奇 | 申請(專利權)人: | 贏創運營有限公司 |
| 主分類號: | H01M4/36 | 分類號: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M10/0525;C01B33/029;C01B33/027;C01B32/977 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉維升;楊思捷 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相反 應器中 合成 復合材料 | ||
1.制造硅-SiC復合材料粉末的方法,其特征在于:
a)將氣體料流I和同軸氣體料流II送入到熱壁反應器中,
氣體料流I含有至少一種選自SiH4、Si2H6和/或Si3H8的硅烷和含有至少一種選自乙烯和/或乙炔的烴,
同軸氣體料流II含有氫氣,
其中氣體料流II相對于氣體料流I形成夾套料流,
并且
b)使至少氣體料流I在900℃至1100℃的溫度下反應,并隨后
在熱壁反應器的出口處將反應混合物冷卻或使其冷卻,并將粉狀反應產物與氣態物質分離。
2.根據權利要求1所述的方法,其中建立了通過熱壁反應器的層流。
3.根據權利要求1所述的方法,其中在步驟a中在氣體料流I中使用乙烯或乙炔并另外使用氬氣。
4.根據前述權利要求中任一項所述的方法,其特征在于:在熱壁反應器中使用至少兩個加熱區。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于:使第一加熱區達到900℃至1010℃的溫度,并使第二加熱區達到1000℃至1100℃的溫度。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于:使第二加熱區達到1050℃至1100℃的溫度。
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