[發(fā)明專利]萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810602989.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-07-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108834245B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉西葉;邱桂學(xué);唐秀齊;劉亞男;張友福;管仁斌;王慧娟;張良學(xué) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 山東科朗特微波設(shè)備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05B6/64 | 分類號(hào): | H05B6/64 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 266111 山東省青島市高*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 萬(wàn)向 微波 發(fā)生 設(shè)備 | ||
本發(fā)明提供一種萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備,包括:微波發(fā)生器和用于供微波穿透的微波傳導(dǎo)部件;所述微波傳導(dǎo)部件與所述微波發(fā)生器連接用于傳導(dǎo)微波,所述微波傳導(dǎo)部件整體呈樹(shù)根形狀,所述微波傳導(dǎo)部件包括傳導(dǎo)主體和傳導(dǎo)分支,所述傳導(dǎo)分支可拆卸的連接在所述傳導(dǎo)主體上;所述微波傳導(dǎo)部件用于設(shè)置在加熱箱體中,待加熱物料放入到所述加熱箱體中后,待加熱物料將埋住全部或部分所述微波傳導(dǎo)部件,所述微波傳導(dǎo)部同時(shí)在待加熱物料中蔓延延伸。實(shí)現(xiàn)萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備不受穿透能力限制以擴(kuò)寬應(yīng)用范圍,并提高加熱均勻性和加熱效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微波技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備。
背景技術(shù)
微波加熱(Microwave heating)就是利用微波的能量特征,對(duì)物體進(jìn)行加熱的過(guò)程。材料對(duì)微波的反應(yīng)可以分為四種情況:穿透微波、反射微波、吸收微波和部分吸收微波,而微波加熱技術(shù)與傳統(tǒng)加熱方式不同,它是通過(guò)被加熱體內(nèi)部偶極分子高頻往復(fù)運(yùn)動(dòng),產(chǎn)生“內(nèi)摩擦熱”而使被加熱物料溫度升高,不須任何熱傳導(dǎo)過(guò)程,就能使物料內(nèi)外部同時(shí)加熱、同時(shí)升溫,加熱速度快且均勻,僅需傳統(tǒng)加熱方式的能耗的幾分之一或幾十分之一就可達(dá)到加熱目的,因此,微波技術(shù)被廣泛的應(yīng)用于人們?nèi)粘I詈凸I(yè)生產(chǎn)中。然而,微波加熱也有局限性,在通過(guò)微波加熱時(shí),微波受其穿透能力的限制,無(wú)法對(duì)厚度或體積過(guò)大的物品進(jìn)行加熱,例如:盛滿液體的大水箱或盛滿顆粒物料的大容器,導(dǎo)致微波加熱設(shè)備的應(yīng)用范圍較窄且加熱均勻性也較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備,實(shí)現(xiàn)萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備不受穿透能力限制以擴(kuò)寬應(yīng)用范圍,并提高加熱均勻性和加熱效率。
本發(fā)明提供一種萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備,包括:微波發(fā)生器和用于供微波穿透的微波傳導(dǎo)部件;所述微波傳導(dǎo)部件與所述微波發(fā)生器連接用于傳導(dǎo)微波,所述微波傳導(dǎo)部件整體呈樹(shù)根形狀,所述微波傳導(dǎo)部件包括傳導(dǎo)主體和傳導(dǎo)分支,所述傳導(dǎo)分支可拆卸的連接在所述傳導(dǎo)主體上; 所述微波傳導(dǎo)部件用于設(shè)置在加熱箱體中, 待加熱物料放入到所述加熱箱體中后,待加熱物料將埋住全部或部分所述微波傳導(dǎo)部件,所述微波傳導(dǎo)部同時(shí)在待加熱物料中蔓延延伸。
進(jìn)一步的,所述傳導(dǎo)分支上還設(shè)置有傳導(dǎo)子分支,所述傳導(dǎo)子分支可拆卸的連接在所述傳導(dǎo)分支上,所述傳導(dǎo)子分支呈分叉式結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的,所述傳導(dǎo)主體、傳導(dǎo)分支和傳導(dǎo)子分支的徑向尺寸逐漸減小。
進(jìn)一步的,還包括微波反射管,所述微波傳導(dǎo)部件通過(guò)所述微波反射管連接在所述微波發(fā)生器上。
進(jìn)一步的,所述微波傳導(dǎo)部件為空心結(jié)構(gòu)或?qū)嵭慕Y(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供的萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備,通過(guò)微波傳導(dǎo)部件將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波傳導(dǎo)輸送,由于微波傳導(dǎo)部件采用微波能夠穿透的材料制成,微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波能夠在微波傳導(dǎo)部件中傳輸同時(shí)通過(guò)微波傳導(dǎo)部件傳播到外部,而微波傳導(dǎo)部件整體呈樹(shù)根形狀,使得微波傳導(dǎo)部件能夠更加全面的覆蓋待加熱物料所占的空間,使得微波能夠?qū)θ康拇訜嵛锪线M(jìn)行微波加熱,克服因待加熱物料厚度過(guò)厚而導(dǎo)致微波無(wú)法穿透的問(wèn)題,確保待加熱物料受微波輻射更加均勻,實(shí)現(xiàn)萬(wàn)向微波發(fā)生設(shè)備不受穿透能力限制以擴(kuò)寬應(yīng)用范圍,并提高加熱均勻性和加熱效率。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明微波加熱設(shè)備實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖一;
圖2為本發(fā)明微波加熱設(shè)備實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖二。
具體實(shí)施方式
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東科朗特微波設(shè)備有限公司,未經(jīng)山東科朗特微波設(shè)備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810602989.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 離子發(fā)生器件、離子發(fā)生單元和離子發(fā)生裝置
- 離子發(fā)生元件、離子發(fā)生單元及離子發(fā)生裝置
- 過(guò)熱蒸汽發(fā)生容器、過(guò)熱蒸汽發(fā)生裝置以及發(fā)生方法
- 吸收-發(fā)生-再發(fā)生體系與分段發(fā)生吸收式機(jī)組
- 泡沫發(fā)生裝置和泡沫發(fā)生方法
- 離子發(fā)生元件、離子發(fā)生單元及離子發(fā)生裝置
- 臭氧發(fā)生管內(nèi)電極體、臭氧發(fā)生管及臭氧發(fā)生器
- 信號(hào)發(fā)生裝置及信號(hào)發(fā)生方法
- 微米·納米氣泡發(fā)生方法,發(fā)生噴嘴,與發(fā)生裝置
- 壓力發(fā)生裝置及發(fā)生方法
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





