[發明專利]低阻單晶硅摻雜方法在審
| 申請號： | 201810602914.3 | 申請日： | 2018-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN108588816A | 公開（公告）日： | 2018-09-28 |
| 發明（設計）人： | 唐珊珊;許紅方;羅閔浩;關培海;龔連鶴 | 申請（專利權）人： | 山東大海新能源發展有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/00 | 分類號： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 濟南千慧專利事務所(普通合伙企業) 37232 | 代理人： | 王寬 |
| 地址： | 257300 山東省東營市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 低阻 摻雜 單晶硅太陽能電池 光電轉化效率 原材料利用率 產品合格率 電阻率檔位 電阻率分布 分凝系數 合金材料 不均勻 抽真空 抗衰減 硼材料 放肩 硅料 硼硅 縮頸 引晶 軸向 申請 生產 | ||
1.一種低阻單晶硅摻雜方法，其特征在于，該摻雜方法包括以下步驟：
先將低阻鎵材料和低阻硼材料制成低阻鎵硼硅合金材料，然后再加入硅料中，接著進行抽真空、引晶、縮頸、放肩。
2.根據權利要求1所述的低阻單晶硅摻雜方法，其特征在于，所述摻雜方法具體步驟包括以下步驟：
(1)準備工作：檢查原料硅料純度指標和尺寸，阻鎵材料和低阻硼材料純度；
(2)裝籽晶，選擇晶向好且無機械損傷的籽晶裝入清理過的爐膛中；
(3)低阻鎵硼硅合金材料制備：用低阻鎵材料和低阻硼材料及少量硅經常規方法制成低阻鎵硼硅合金材料；
(4)裝料：將硅料和低阻鎵硼硅合金材料裝入坩堝中；
(5)抽真空：將坩堝內抽真空，并通入氬氣；
(6)原料熔化：對坩堝進行加熱，使硅料和摻雜劑等熔化，持續加熱，硅料開始熔化，全熔，降溫至引晶溫度；
(7)引晶：確定引晶溫度，籽晶接觸熔體表面，轉動，開啟晶轉；
(8)縮頸：按照一定的直徑，控制好拉速縮頸；
(9)放肩：控制好拉速和擴肩速度，等放肩直徑接近要求的晶體直徑時，提升拉速，晶體進入等徑生長階段；
(10)收尾：提高拉晶速度，逐步縮小晶體直徑，直到使晶體脫離液面，然后降低溫度，拉晶過程結束。
3.根據權利要求2所述的低阻單晶硅摻雜方法，其特征在于，步驟(3)中低阻共摻雜劑中的低阻鎵材料和低阻硼材料的質量比為99-20：1-80。
4.根據權利要求2所述的低阻單晶硅摻雜方法，其特征在于，步驟(3)中低阻鎵材料可為元素鎵、鎵硅合金中的一種或兩種。
5.根據權利要求2所述的低阻單晶硅摻雜方法，其特征在于，步驟(3)中低阻硼材料可為元素硼、硼硅合金中的一種或兩種。
6.根據權利要求2所述的低阻單晶硅摻雜方法，其特征在于，步驟(3)中，低阻共摻雜劑加入的量為0.03g/1kg投料量-0.2g/1kg投料量。
7.根據權利要求2所述的低阻單晶硅摻雜方法，其特征在于，步驟(5)中氬氣的通入方式是間歇式通入方式。
8.由權利要求1-7所述的低阻單晶硅摻雜方法制得的低阻單晶硅，其特征在于，所述低阻單晶硅的電阻率為0.5-1.5Ω·cm。
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