[發明專利]一種MEMS柔性錳銅-康銅復合式超高壓力傳感器及制造方法

有效

• 申請號: 201810602746.8
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN108896235B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 趙玉龍;張國棟;趙云;韋學勇;王馨晨;任煒;張蕊;張方;李慧
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: G01L9/06
• 分類號: G01L9/06
• 代理公司: 西安智大知識產權代理事務所 61215
• 代理人: 賀建斌

1.一種MEMS柔性錳銅-康銅復合式超高壓力傳感器,包括基底(2),其特征在于：基底(2)上通過MEMS工藝濺射有錳銅敏感元件(3)及其對應的四個第一電極(1)，以及康銅敏感元件(5)及其對應的四個第二電極(6)，錳銅敏感元件(3)的輸入端和輸出端分別連接兩個第一電極(1)，康銅敏感元件(5)的輸入端和輸出端分別連接兩個第二電極(6)，錳銅敏感元件(3)、康銅敏感元件(5)、第一電極(1)、第二電極(6)的表面上覆蓋有絕緣層(4)；

所述的錳銅敏感元件(3)和康銅敏感元件(5)采用螺旋式中心對稱分布，通過靶材濺射而成，錳銅敏感元件(3)和康銅敏感元件(5)共占面積在直徑0.2mm圓形范圍內，厚度為1μm；

所述的錳銅敏感元件(3)對應的四個第一電極(1)分布在同一側，兩個作為輸入端，另外兩個作為輸出端；康銅敏感元件(5)對應的四個第二電極(6)分布在另一側，兩個作為輸入端，另外兩個作為輸出端；

所述的基底(2)和絕緣層(4)采用聚酰亞胺材料，通過勻膠固化工藝制成，厚度均為15μm。

2.根據權利要求1所述的MEMS柔性錳銅-康銅復合式超高壓力傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1：在硅片載體上涂覆一層聚酰亞胺薄膜作為基底(2)；

步驟2：在基底(2)上用磁控濺射的方法沉積錳銅敏感元件(3)及其對應的四個第一電極(1)，以及康銅敏感元件(5)及其對應的四個第二電極(6)；

步驟3：在錳銅敏感元件(3)、康銅敏感元件(5)、第一電極(1)、第二電極(6)的表面上涂覆一層聚酰亞胺薄膜作為絕緣層(4)，利用濕法腐蝕工藝使得絕緣層(4)上面漏出第一電極(1)、第二電極(6)的焊盤；

步驟4：利用硅的各向同性腐蝕液腐蝕硅片載體，將柔性傳感器釋放，得到MEMS柔性錳銅-康銅復合式超高壓力傳感器。