[發(fā)明專利]一種采用低價釩種子層優(yōu)化氧化釩薄膜性能的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810601870.2
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN108588661B
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳志明;張帆;姬春暉;向梓豪;楊仁輝
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/02
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230
• 代理人: 蔣秀清;李春芳

1.一種采用低價釩種子層優(yōu)化氧化釩薄膜性能的方法，其特征在于，所述方法采用磁控濺射技術(shù)，以金屬釩為靶材，以Al₂O₃為基底，在有氧環(huán)境下分兩次濺射，第一次濺射氧濃度低于第二次濺射，兩次濺射前后得到低價釩種子層和氧化釩薄膜，最后通過退火即得到采用低價釩種子層優(yōu)化的氧化釩薄膜，具體包括如下步驟：

(1)采用Al₂O₃基底：將Al₂O₃基底放入丙酮中超聲除去表面雜質(zhì)，再放入無水乙醇中超聲除去殘留丙酮，最后放入無水乙醇中保存，使用前用N₂吹干；

(2)采用磁控濺射技術(shù)在Al₂O₃基底上制備氧化釩薄膜，具體工藝條件為：

靶材：金屬釩靶；本底真空度：小于2×10^-3Pa；工作氣體為氬氣和氧氣；濺射溫度：60-100℃；濺射過程中Ar流量：90-100sccm；第一次濺射過程中O₂流量：0.3-3sccm，第一次濺射時間1min；第二次濺射過程中O₂流量：1-6sccm，第二次濺射時間5-6min；濺射電流：0.32-0.36A；

(3)在400-450℃退火5-120分鐘，然后在真空中自然冷卻至室溫即得到采用低價釩種子層優(yōu)化的氧化釩薄膜，

所述采用低價釩種子層優(yōu)化的氧化釩薄膜的相變幅度為464-677倍，回線寬度為8.63-10.38℃，相變溫度為60-63℃。

2.如權(quán)利要求1所述的一種采用低價釩種子層優(yōu)化氧化釩薄膜性能的方法，其特征在于：步驟(2)中，具體工藝條件為：

靶材：金屬釩靶；本底真空度：小于2×10^-3Pa；工作氣體為氬氣和氧氣；濺射溫度：60-100℃；濺射過程中Ar流量：90-100sccm；第一次濺射過程中O₂流量：0.3-0.6sccm，第一次濺射時間1min；第二次濺射過程中O₂流量：1-2sccm，第二次濺射時間5-6min；

濺射電流：0.32-0.36A；

步驟(3)中對應(yīng)的退火條件為：400～450℃退火5～120分鐘。