[發明專利]一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201810601121.X
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN108832482A
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 賴文勇;陸婷婷;黃維
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01S5/187
• 分類號: H01S5/187
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 張婷婷

1.一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件，其特征在于，由襯底(1)及其上均勻沉積而成的增益介質(2)構成，其中，所述的增益介質(2)為單分散星狀大分子光增益介質材料，具有多臂支化分子結構。

2.根據權利要求1所述的一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件，其特征在于，所述的單分散星狀大分子光增益介質材料，其核結構選自包括苯、三嗪、吡咯、吡啶、芘、三并茚、三并咔唑、螺芴在內的其中一種；其枝臂結構選自低聚苯乙烯、低聚噻吩、低聚苯和寡聚芴中的一種。

3.根據權利要求1或2所述的一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件，其特征在于，所述的增益介質(2)的單分散星狀大分子光增益介質材料選用以三并茚為核結構，以寡聚芴為枝臂單分散六臂結構，通式結構為：

其中R為C₁-C₂₀的直鏈烷基鏈或支鏈烷基鏈中的一種；n為1～10之間的自然數。

4.根據權利要求1所述一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件，其特征在于，所述的襯底(1)為石英基底、基于石英的分布式反饋布拉格光柵DFB基底、玻璃基底、銦錫氧化物半導體ITO基底或分布式布拉格反射腔DBR基底中的一種。

5.根據權利要求1所述的一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件，其特征在于，所述的增益介質(2)的厚度為80～200nm。

6.根據權利要求1所述的一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件，其特征在于，所述的增益介質(2)的沉積方式為旋涂、壓印、噴印、真空蒸鍍或噴墨打印鍍中的一種。

7.根據權利要求1所述的一種非摻雜自發輻射光放大薄膜器件的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

第一步：襯底清洗，襯底依次用丙酮、乙醇、超純水超聲清洗，再在烘箱內干燥；

第二步：溶液配制，以氯仿為溶劑配制濃度為15mg/mL的增益介質(2)溶液，熱臺攪拌，加熱溫度為60℃，攪拌速率為1000rpm，攪拌時間2h以上；

第三步：器件制備，將增益介質(2)溶液均勻旋涂在襯底上，旋涂轉速為2000rpm、旋涂時間為60s、旋涂加速度為4000rpm/s，旋涂完之后為去除薄膜表面多余的溶劑，將制作好的器件放置熱臺中50℃退火10分鐘。