[發明專利]三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 201810600399.5
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN108807405B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11531;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種制作三維存儲器的方法，包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構具有核心區、字線連接區和周邊區；

在所述核心區同時形成溝道孔陣列和一個或多個柵極隔槽，且同時在所述周邊區形成一個或多個接觸孔；

在所述溝道孔陣列的各溝道孔、所述一個或多個柵極隔槽以及所述一個或多個接觸孔中都形成存儲器膜和溝道層；

在所述半導體結構上形成硬掩模圖案，所述硬掩模圖案覆蓋所述溝道孔陣列，且暴露所述一個或多個柵極隔槽和所述一個或多個接觸孔；

去除所述一個或多個柵極隔槽和所述一個或多個接觸孔中的所述溝道層；

在所述一個或多個柵極隔槽中形成絕緣部；以及

在所述一個或多個接觸孔中形成接觸部。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，

形成存儲器膜和溝道層的所述步驟還包括：形成填充層，其中所述存儲器膜包圍所述溝道層并且所述填充層設置在所述溝道層的內側；以及

去除所述溝道層的步驟還包括：去除所述填充層。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述填充層的方法包括介質層旋涂。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述一個或多個接觸孔中形成接觸部之前還包括：在所述一個或多個接觸孔中形成絕緣層。

5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述一個或多個柵極隔槽中填充所述絕緣部的同時，在所述一個或多個接觸孔中形成絕緣層，其中所述絕緣部和所述絕緣層為同一材料。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體結構具有周邊電路，所述周邊電路分布在所述核心區、所述字線連接區下方和所述周邊區下方，在所述一個或多個接觸孔中形成接觸部時，所述接觸部連接所述周邊電路。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述一個或多個柵極隔槽中形成所述絕緣部的方法包括原子層沉積。

8.一種制作三維存儲器的方法，包括以下步驟：

提供半導體結構，所述半導體結構具有核心區、字線連接區和周邊區；

在所述核心區同時形成溝道孔陣列和一個或多個柵極隔槽，且同時在所述周邊區形成一個或多個接觸孔；

在所述溝道孔陣列的各溝道孔、所述一個或多個柵極隔槽以及所述一個或多個接觸孔中都形成存儲器膜、溝道層和犧牲層；

在所述半導體結構上形成硬掩模圖案，所述硬掩模圖案覆蓋所述溝道孔陣列，且暴露所述一個或多個柵極隔槽和所述一個或多個接觸孔；

去除所述一個或多個柵極隔槽和所述一個或多個接觸孔中的所述溝道層和所述犧牲層；

去除所述硬掩模圖案和所述溝道孔陣列中的所述犧牲層；

在所述溝道孔陣列的各溝道孔中形成填充層；

在所述一個或多個柵極隔槽中形成絕緣部；以及

在所述一個或多個接觸孔中形成接觸部。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述一個或多個接觸孔中形成所述接觸部之前還包括：在所述一個或多個接觸孔中形成絕緣層。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，在所述溝道孔陣列的各溝道孔中形成所述填充層的同時，在所述一個或多個柵極隔槽中形成所述絕緣部，和/或在所述一個或多個接觸孔中形成所述絕緣層，其中所述填充層、所述絕緣部和所述絕緣層為同一材料。

11.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述半導體結構具有周邊電路，所述周邊電路分布在所述核心區、所述字線連接區下方和所述周邊區下方，在所述一個或多個接觸孔中形成接觸部時，所述接觸部連接所述周邊電路。

12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，在所述一個或多個柵極隔槽中形成所述絕緣部的方法包括原子層沉積。