[發明專利]具有擬接地電位的內存電路

有效

• 申請號: 201810596916.6
• 申請日: 2018-06-11
• 公開（公告）號: CN110580930B
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: 陳曜洲;陳印章
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30;G11C16/34
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種內存電路，用以進行一高電壓操作或一低電壓操作以存取一數據，該內存電路包含：

一記憶單元，用以儲存該數據；

一內存控制電路，用以控制該記憶單元；以及

一擬接地電壓產生電路，與該內存控制電路耦接于一擬接地節點；

其中該內存控制電路包括：

一位準偏移電路，耦接于一可變供應電壓，根據一第一地址信號而產生一驅動信號；以及

一驅動電路，耦接于該位準偏移電路、該擬接地節點以及該記憶單元，該驅動電路以該可變供應電壓為電源，且根據該驅動信號而產生一存取信息，用以對該記憶單元進行該高電壓操作或該低電壓操作；

其中于該高電壓操作下，該可變供應電壓提供一第一供應電位，使得該存取信息的一高位準對應于該第一供應電位，且該擬接地電壓產生電路于該擬接地節點提供一擬接地電位，其中該第一供應電位與該擬接地電位的電位差小于該驅動電路的一耐壓；

其中于該低電壓操作下，該可變供應電壓提供一第二供應電位，使得該存取信息的該高位準對應于該第二供應電位，該擬接地電壓產生電路將該擬接地節點電連接至一共同接地電位。

2.如權利要求1所述的內存電路，其中該記憶單元根據該第一供應電位與該共同接地電位的電壓差而進行該高電壓操作。

3.如權利要求1所述的內存電路，其中該第一供應電位與該共同接地電位的電壓差大于該耐壓。

4.如權利要求1所述的內存電路，其中該第二供應電位與該共同接地電位的電位差小于該耐壓。

5.如權利要求1所述的內存電路，還包含一編程開關，用以于該高電壓操作時提供該記憶單元一編程接地電位，以進行該高電壓操作。

6.如權利要求1所述的內存電路，該內存電路以該高電壓操作而對該記憶單元寫入該數據。

7.如權利要求1所述的內存電路，其中該驅動電路包括一上拉開關，用以根據該驅動信號而導通該可變供應電壓以提供該存取信息的該高位準。

8.如權利要求1所述的內存電路，其中該驅動電路包括一下拉開關，用以根據該驅動信號而導通該擬接地節點以提供該存取信息的一低位準。

9.如權利要求1所述的內存電路，其中該位準偏移電路還耦接于擬接地節點，且還根據該擬接地節點的電位而產生該驅動信號。

10.如權利要求1所述的內存電路，其中該擬接地電壓產生電路包括：

一參考電壓電路，用以于該高電壓操作時提供該擬接地電位；以及

一接地開關，用以于該低電壓操作時，導通該共同接地電位至該擬接地節點，且于該高電壓操作時關斷。

11.如權利要求10所述的內存電路，其中該參考電壓電路包括一放大電路，用以根據一參考信號以及一擬接地相關信號的差值而調節該擬接地電位，其中該擬接地相關信號相關于該擬接地電位。

12.如權利要求10所述的內存電路，其中該參考電壓電路包括至少一二極管以及一電流源以提供該擬接地電位，其中該電流源提供該至少一二極管的直流操作電流，其中該擬接地電位由該至少一二極管的一順向電壓及/或該至少一二極管的一反向崩潰電壓而決定。

13.如權利要求1所述的內存電路，其中該記憶單元包括一非易失性儲存元件。

14.如權利要求13所述的內存電路，其中該非易失性儲存元件為一浮動柵極快閃儲存元件或一一次性可編程儲存元件。