[發(fā)明專利]一種線圈天線及終端有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810595340.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110581362B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 耿建輝;牛瀟彬;胡育根 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 青島海信移動(dòng)通信技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01Q7/06 | 分類號(hào): | H01Q7/06;H01Q1/36 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 逯長(zhǎng)明;許偉群 |
| 地址: | 266071 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 線圈 天線 終端 | ||
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種線圈天線,涉及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域,為解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法提高磁場(chǎng)均勻度的問(wèn)題而發(fā)明。本申請(qǐng)主要包括:電路板以及設(shè)置于所述電路板的導(dǎo)線;所述導(dǎo)線包括第一線圈及第二線圈;所述第一線圈設(shè)置在電路板的第一線路層,所述第二線圈設(shè)置所述電路板的第二線路層,所述第一線路層與所述第二線路層通過(guò)第一絕緣層相隔離;在垂直于所述第一絕緣層的方向,所述第一線圈與所述第二線圈的繞線方向相同且存在交疊區(qū)域;所述第一線圈的一端為第一輸入端,第一線圈的另一端通過(guò)設(shè)置在所述第一絕緣層的第一金屬過(guò)孔與所述第二線圈的一端耦接,所述第二線圈的另一端為第一輸出端。本申請(qǐng)主要用于無(wú)線通信的過(guò)程中。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種線圈天線。
背景技術(shù)
NFC(Near Field Communication,近場(chǎng)通信)天線,是一種近場(chǎng)耦合天線,允許電子設(shè)備之間進(jìn)行非接觸式點(diǎn)對(duì)點(diǎn)傳輸交換數(shù)據(jù),其頻帶寬度為13.56Mhz,其耦合方式為線圈耦合。通過(guò)線圈天線耦合實(shí)現(xiàn)能量傳遞進(jìn)而實(shí)現(xiàn)信息傳輸,由一方線圈天線通過(guò)電流生產(chǎn)磁場(chǎng),通過(guò)另一方線圈天線耦合到磁場(chǎng)能量轉(zhuǎn)變成電場(chǎng)進(jìn)而形成電壓變化實(shí)現(xiàn)信息的傳遞。
現(xiàn)有技術(shù)中,天線采用供電線圈天線和增強(qiáng)線圈天線雙線圈構(gòu)成,其中,供電線圈包括第1線圈部和第2線圈部,供電線圈天線配置在增強(qiáng)線圈天線的環(huán)繞邊的一部分附近,以使得從第1線圈部的端部輻射出的磁通通過(guò)線圈導(dǎo)體正上方的增強(qiáng)線圈,并繞回第2線圈不的端部而形成閉環(huán),從而與增強(qiáng)線圈天線進(jìn)行耦合。因此能夠提高供電線圈天線與增強(qiáng)線圈天線之間的耦合度,以提高通信特性。
如果線圈面積和線圈電流都相同,上述技術(shù)方案與單線圈相比,雖然能夠增加磁場(chǎng)強(qiáng)度,但是由于各個(gè)線圈都是獨(dú)立設(shè)置,因此各個(gè)線圈均會(huì)各自產(chǎn)生獨(dú)立的磁場(chǎng),從而可能會(huì)出現(xiàn)磁場(chǎng)均勻度較差的情況,影響通信成功率。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N線圈天線,以解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法提高磁場(chǎng)均勻程度的問(wèn)題。
第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N線圈天線,包括:
電路板以及設(shè)置于所述電路板的導(dǎo)線;
所述導(dǎo)線包括第一線圈及第二線圈;
所述第一線圈設(shè)置在電路板的第一線路層,所述第二線圈設(shè)置所述電路板的第二線路層,所述第一線路層與所述第二線路層通過(guò)第一絕緣層相隔離;
在垂直于所述第一絕緣層的方向,所述第一線圈與所述第二線圈的繞線方向相同且存在交疊區(qū)域;
所述第一線圈的一端為第一輸入端,所述第一線圈的另一端通過(guò)設(shè)置在所述第一絕緣層的第一金屬過(guò)孔與所述第二線圈的一端耦接,所述第二線圈的另一端為第一輸出端。
進(jìn)一步地,所述導(dǎo)線還包括第三線圈;
所述第三線圈設(shè)置在所述第一線路層;
在垂直于所述第一絕緣層的方向,所述第三線圈與所述第二線圈的繞線方向相同并存在交疊區(qū)域,且所述第三線圈與所述第一線圈不存在交疊區(qū)域;
所述第三線圈的一端為第二輸出端,所述第三線圈的另一端與所述第二線圈的第一輸出端通過(guò)設(shè)置在第一絕緣層的第二金屬過(guò)孔耦接。
進(jìn)一步地,所述導(dǎo)線還包括第四線圈;
所述第四線圈設(shè)置在電路板的第三線路層,所述第三線路層與所述第二線路層通過(guò)第二絕緣層相隔離;
在垂直于所述第二絕緣層的方向,所述第四線圈與所述第二線圈的繞線方向相同且存在交疊區(qū)域;
所述第四線圈的一端為第三輸出端,所述第四線圈的另一端通過(guò)設(shè)置在第二絕緣層的第三金屬過(guò)孔與所述第二線圈的第一輸出端耦接。
進(jìn)一步地,在垂直于所述第二絕緣層的方向,所述第四線圈與所述第一線圈存在交疊區(qū)域。
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