[發(fā)明專利]一種納米尺度極低熱導(dǎo)的原位表征裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810595102.0 | 申請日: | 2018-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN110579628B | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾華榮;陳立東;徐琨淇;趙坤宇;李國榮 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號: | G01Q60/24 | 分類號: | G01Q60/24;G01Q30/00;G01Q30/04 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
| 地址: | 200050 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 尺度 低熱 原位 表征 裝置 | ||
本申請公開了一種納米尺度極低熱導(dǎo)的原位表征裝置,用于檢測一被測熱電材料樣品的微區(qū)熱導(dǎo),包括:一納米尺度熱學(xué)信號原位激勵模塊,用于原位激發(fā)與所述被測材料接觸前后的微區(qū)熱導(dǎo)相關(guān)的一倍頻、三倍頻熱學(xué)信號;一納米尺度熱學(xué)信號原位檢測模塊,用于實(shí)現(xiàn)所述一倍頻、三倍頻熱學(xué)信號的原位實(shí)時檢測和處理,并顯示微區(qū)熱導(dǎo)的原位表征結(jié)果;所述熱電探針加熱頻率在90Hz~760Hz范圍內(nèi),ΔV3ω與lnω呈線性關(guān)系,根據(jù)其線性部分的斜率則可定量表征出所述微區(qū)熱導(dǎo)λs。本申請將原子力顯微鏡納米檢測功能、探針焦耳熱效應(yīng)、熱檢測的三倍頻激發(fā)與線熱源模型相結(jié)合,建立其基于原子力顯微鏡的納米尺度極低熱導(dǎo)的原位表征裝置。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請屬于信號檢測儀器領(lǐng)域,尤其涉及一種納米尺度極低熱導(dǎo)的原位表征裝置。
背景技術(shù)
基于熱能與電能相互轉(zhuǎn)換效應(yīng)的熱電材料已成為當(dāng)前一種重要的清潔能源材料,在熱電發(fā)電和熱電制冷等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用,例如工業(yè)余熱的高效多級利用、環(huán)保能量回收、特種電源、高功率電子技術(shù)以及微小型制冷等。高性能、高熱電轉(zhuǎn)換效率的熱電材料和器件要求材料具有高電導(dǎo)、低熱導(dǎo)等獨(dú)特性能。熱導(dǎo)率是影響熱電材料能量轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵參量,熱導(dǎo)率愈低,對熱電轉(zhuǎn)換效率貢獻(xiàn)就越顯著。新近發(fā)展的局域“聲子液體-電子晶體”特征的新型快離子導(dǎo)體熱電材料,如Cu2Se具有極低的熱導(dǎo)率(0.2W/m·K);又如摻雜的硒化錫熱電晶體,表現(xiàn)出超低的熱導(dǎo)率(0.17W/m·K)。此外,有機(jī)聚合物熱電材料也多表現(xiàn)出低熱導(dǎo)的特點(diǎn)(大多低于0.5W/m·K),且有機(jī)熱電材料在柔性、低成本熱電應(yīng)用方面展現(xiàn)出誘人的應(yīng)用前景。
在熱電材料中,納米第二相和晶界在高熱電性能方面起著至關(guān)重要的作用。通過引入位錯,納米第二相和晶界可以極大地散射中低頻聲子,降低晶格熱導(dǎo)率,從而提高材料的熱電性能。但是,納米第二相和晶界等微觀因素對熱電性能研究還不深入,迫切需要發(fā)展新的方法來實(shí)現(xiàn)納米尺度熱電參量的原位表征,從而建立各微觀因素和電熱輸運(yùn)之間的聯(lián)系,推動高性能熱電材料和熱電器件的設(shè)計與優(yōu)化。
目前宏觀熱導(dǎo)的測量技術(shù)如穩(wěn)態(tài)測量法、非穩(wěn)態(tài)法等難以滿足微觀熱導(dǎo)測量的迫切需求。針對該局限性,本申請希望發(fā)展一種基于原子力顯微鏡的納米尺度極低熱導(dǎo)的原位表征裝置,實(shí)現(xiàn)熱電材料極低熱導(dǎo)的原位動態(tài)表征,以滿足日益發(fā)展的高性能熱電材料的納米熱電物理性能表征之急需。
發(fā)明內(nèi)容
應(yīng)當(dāng)理解,本公開以上的一般性描述和以下的詳細(xì)描述都是示例性和說明性的,并且旨在為如權(quán)利要求所述的本公開提供進(jìn)一步的解釋。
針對上述目前高性能熱電材料和器件研究之急需,本申請是在普通原子力顯微鏡(AFM)平臺上提出一種用于實(shí)現(xiàn)納米尺度極低熱導(dǎo)原位表征裝置,實(shí)現(xiàn)熱電材料和器件微區(qū)熱導(dǎo)的原位測量,為有關(guān)高性能熱電材料的極低熱導(dǎo)提供一種高分辨原位表征技術(shù)。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提出了一種納米尺度極低熱導(dǎo)的原位表征裝置,用于檢測一被測熱電材料樣品的微區(qū)熱導(dǎo),其特征在于,所述裝置進(jìn)一步包括:
一納米尺度熱學(xué)信號原位激勵模塊,用于原位激發(fā)與所述被測材料接觸前后的微區(qū)熱導(dǎo)相關(guān)的一倍頻、三倍頻熱學(xué)信號;
一納米尺度熱學(xué)信號原位檢測模塊,用于實(shí)現(xiàn)所述一倍頻、三倍頻熱學(xué)信號的原位實(shí)時檢測和處理,并顯示微區(qū)熱導(dǎo)的原位表征結(jié)果;
所述微區(qū)熱導(dǎo)表達(dá)式為:
其中,ΔV3ω為熱電探針接觸被測熱電材料樣品前后的三倍頻信號之差,Vω為熱電探針一倍頻信號,ω為熱電探針加熱頻率,λs為微區(qū)熱導(dǎo),R0為熱電探針室溫電阻,C為常數(shù),所述熱電探針加熱頻率ω在90Hz~760Hz范圍內(nèi),根據(jù)ΔV3ω與lnω線性關(guān)系的斜率定量表征出所述微區(qū)熱導(dǎo)λs。
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G01Q 掃描探針技術(shù)或設(shè)備;掃描探針技術(shù)的應(yīng)用,例如,掃描探針顯微術(shù)[SPM]
G01Q60-00 特殊類型的SPM [掃描探針顯微術(shù)]或其設(shè)備;其基本組成
G01Q60-02 .多個類型SPM,即包括兩種或更多種SPM技術(shù)
G01Q60-10 .STM [掃描隧道顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如STM探針
G01Q60-18 .SNOM [掃描近場光學(xué)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如,SNOM探針
G01Q60-24 .AFM [原子力顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如AFM探針
G01Q60-44 .SICM [掃描離子電導(dǎo)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如SICM探針





