[發明專利]一種高階溫度補償帶隙基準電路

有效

• 申請號: 201810595100.1
• 申請日: 2018-06-11
• 公開（公告）號: CN108664072B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 董淵;程劍濤;王云松;黃建剛;吳傳奎
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

1.一種高階溫度補償帶隙基準電路，其特征在于，包括：

電源（VDD）、啟動電路（1）、帶隙基準核心電路（2）和高階溫度補償電路（3）；

所述電源為所述啟動電路（1）、所述帶隙基準核心電路（2）和所述高階溫度補償電路（3）提供電能；

所述啟動電路（1）的輸入端與所述帶隙基準核心電路（2）的第一輸出端相連；所述啟動電路（1）的輸出端與所述帶隙基準核心電路（2）的信號輸入端相連，為所述帶隙基準核心電路（2）提供啟動信號；

所述帶隙基準核心電路（2）的第一輸出端與所述高階溫度補償電路（3）的第一信號輸入端和第三信號輸入端相連，所述帶隙基準核心電路（2）的第二輸出端與所述高階溫度補償電路（3）的第二信號輸入端相連，所述帶隙基準核心電路（2）用于產生帶隙基準輸出電壓（V_BG）和與絕對溫度成正比的PTAT電流；

所述高階溫度補償電路（3）包括溫漂電壓采樣電路、高溫段補償電路、低溫段補償電路和溫度補償輸出電路；

其中，所述溫漂電壓采樣電路（301）與所述帶隙基準核心電路（2）的第一輸出端相連，用于產生采樣電壓（V_SNS）以及用來判斷溫度補償的高壓閾值(V_SH)和低壓閾值(V_SL)；

所述高溫段補償電路（302）與所述溫漂電壓采樣電路（301）相連，用于在所述采樣電壓（V_SNS）高于所述高壓閾值(V_SH)時，對所述帶隙基準輸出電壓進行第一溫度補償；

所述低溫段補償電路（303）與所述高溫段補償電路（302）相連，用于在所述采樣電壓（V_SNS）低于所述低壓閾值(V_SL)時，對所述帶隙基準輸出電壓進行第二溫度補償；

所述溫度補償輸出電路（304）與所述低溫段補償電路（303）相連，用于輸出所述高階溫度補償帶隙基準電路的輸出電壓。

2.根據權利要求1所述的高階溫度補償帶隙基準電路，其特征在于，所述啟動電路（1）包括：第一NMOS管（MN1）、第二NMOS管（MN2）第三NMOS管（MN3）和第一電阻（R1）；

其中，所述第一NMOS管（MN1）的控制端與所述帶隙基準核心電路（2）的第一輸出端相連；

所述第一NMOS管（MN1）的第一端與所述第一電阻（R1）的一端、所述第二NMOS管（MN2）的第一端、所述第二NMOS管（MN2）的控制端以及所述第三NMOS管（MN3）的控制端相連；

所述第一NMOS管（MN1）的第二端、所述第二NMOS管（MN2）的第二端以及所述第三NMOS管（MN3）的第二端均接地；

所述第一電阻（R1）的另一端與電源（VDD）相連；

所述第三NMOS管（MN3）的第一端與所述帶隙基準核心電路（2）的信號輸入端相連。