[發(fā)明專利]一種激光制作釬料凸點的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810594540.5 | 申請日: | 2018-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN108807202B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 師文慶;安芬菊;謝玉萍;黃江 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東海洋大學 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;B23K26/20 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 陳偉斌;劉瑤云 |
| 地址: | 524088 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 釬料 凸點 金屬基板 投擲 熔化 加工平面 顆粒釬料 投擲裝置 制作程序 激光 激光束 制作 預(yù)處理 激光器發(fā)射 激光束照射 計算機設(shè)置 光斑區(qū)域 激光加熱 聚焦透鏡 控制部件 控制信號 路徑規(guī)劃 釬料熔點 同步啟動 系統(tǒng)接收 系統(tǒng)控制 振鏡單元 制作系統(tǒng) 激光器 激光斑 熱擴散 基板 移走 裝入 凝固 計算機 | ||
1.一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:將預(yù)處理后的金屬基板(1)置于激光制作系統(tǒng)的加工平面上;
步驟2:在釬料投擲裝置中裝入制作釬料凸點的顆粒釬料(15);
步驟3:在計算機(2)上設(shè)置激光制作釬料凸點的各個工藝參數(shù);
步驟4:將需要制作釬料凸點的位置信息輸入計算機中,計算機(2)中編好的制作程序?qū)?yīng)更新數(shù)據(jù)并通過輸入的位置信息進行釬料凸點的路徑規(guī)劃;
步驟5:啟動激光制作系統(tǒng)執(zhí)行制作程序,計算機(2)將步驟4中規(guī)劃的釬料凸點路徑轉(zhuǎn)為控制信號發(fā)送至激光器(4)、控制部件(3)及釬料投擲系統(tǒng)(13);
步驟6:激光器(4)、控制部件(3)及釬料投擲系統(tǒng)(13)接收步驟5的控制信號后同步啟動;激光器(4)發(fā)射的激光束(6)依次經(jīng)過控制部件(3)控制的振鏡單元、f-theta平場聚焦透鏡(7)至加工平面上形成激光斑(8),金屬基板(1)升溫;移走激光束(6)后,釬料投擲系統(tǒng)(13)控制釬料投擲臂(14),將釬料投擲裝置的顆粒釬料投擲至激光束照射過的激光斑(8)區(qū)域,金屬基板(1)的溫度使得釬料(15)熔化;
步驟7:步驟6中金屬基板熱擴散降低釬料(15)熔化區(qū)域溫度,使得熔化的釬料凝固,形成釬料凸點;制作程序控制激光器(4)、控制部件(3)及釬料投擲系統(tǒng)(13)按設(shè)定的路徑制作釬料凸點直至制作程序結(jié)束運行,完成金屬基板(1)所有釬料凸點的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:所述的步驟2中釬料(15)為無鉛顆粒狀釬料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:所述的步驟1中金屬基板(1)為覆銅板;金屬基板(1)的預(yù)處理為清洗、脫干。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:步驟1中所述的加工平面為激光制作系統(tǒng)中f-theta平場聚焦透鏡(7)的焦平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:步驟3中所述的工藝參數(shù)包括激光器(3)的激光功率、激光斑(8)在加工平面的直徑,輸出的激光功率為10-1000W,激光斑(8)在加工平面的直徑為0.01-1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:所述步驟6具體包括以下步驟:
步驟61:激光器(4)、控制部件(3)及釬料投擲系統(tǒng)(13)接收步驟5的控制信號后同步啟動;
步驟62:激光器(4)發(fā)射的激光束(6)照射到振鏡單元中的X方向掃描振鏡反射鏡(10)及Y方向掃描振鏡反射鏡(12),經(jīng)X方向掃描振鏡反射鏡(10)及Y方向掃描振鏡反射鏡(12)的反射后穿過f-theta平場聚焦透鏡(7);
步驟63:控制部件(3)與步驟62同步分別控制X軸掃描振鏡線圈(9)及Y軸掃描振鏡線圈(11),進而分別帶動X方向掃描振鏡反射鏡(10)及Y方向掃描振鏡反射鏡(12)轉(zhuǎn)動,使得激光束(6)經(jīng)f-theta平場聚焦透鏡(7)后聚焦至加工平面上形成激光斑(8),激光斑(8)所在區(qū)域的金屬基板(1)升溫;
步驟64:計算機(2)控制激光器(4)移走激光束(6)后,釬料投擲系統(tǒng)(13)控制釬料投擲臂(14),將釬料投擲裝置的顆粒釬料投擲至步驟63中照射過的激光斑(8)區(qū)域,金屬基板(1)的溫度使得釬料(15)熔化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:計算機(2)向激光器(4)、控制部件(3)及釬料投擲系統(tǒng)(13)發(fā)送的控制信號采用信號電纜(5)傳輸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:所述的激光器(4)為光纖激光器或者YAG激光器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:所述的顆粒狀釬料(15)為球形。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種激光制作釬料凸點的方法,其特征在于:計算機(2)控制步驟64中激光束(6)從激光斑(8)移走的時間與顆粒釬料投擲至基板的時間;制作單個釬料凸點時,激光束移走的時間與將顆粒釬料投擲到基板的時間間隔小于1ms。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





