[發明專利]一種在碳化硅基片上生長氧化層的方法

在審

• 申請號: 201810593855.8
• 申請日: 2018-06-11
• 公開（公告）號: CN108847384A
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 何志
• 申請（專利權）人: 重慶偉特森電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京志霖律師事務所 11575
• 代理人: 張文祎

1.一種在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：在所述碳化硅基片(1)的表面覆蓋一掩膜層(2)，然后對掩膜層(2)進行圖形化處理，使得所述碳化硅基片(1)表面的第一待氧化區域裸露，其第二待氧化區域被掩膜層(2)覆蓋；

S2：向第一待氧化區域注入所述氧離子和氮離子(3)，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一所述離子注入層(4)；

S4：進行高溫熱氧化處理，在所述碳化硅基片(1)的表面形成一所述氧化層(5)，且所述離子注入層(4)的所述氧化層(5)厚度大于所述碳化硅基片(1)表面其余區域的所述氧化層(5)厚度。

2.根據權利要求1所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，在所述步驟S2之后、且所述步驟S4之前還包括如下步驟：

S3：所述氧離子和氮離子(3)注入完畢后，去除所述掩膜層(2)。

3.根據權利要求1或2所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，所述氧離子的注入能量為10keV至1MeV，其注入劑量為1×10¹⁴cm^-2至1×10¹⁸cm^-2；所述氮離子的注入能量為10keV至1MeV，其注入劑量為1×10¹²cm^-2至1×10¹⁵cm^-2。

4.根據權利要求1或2所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，所述高溫熱氧化處理的溫度為900℃至2000℃。

5.一種在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：通過離子注入的方式向碳化硅基片(1)內注入氧離子和氮離子(3)，在碳化硅基片(1)的表面形成一離子注入層(4)；

S2：進行高溫熱氧化處理，使得離子注入層(4)被氧化，形成一氧化層(5)。

6.根據權利要求5所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，在所述步驟S1之前還包括如下步驟：

S0：在所述碳化硅基片(1)上沉積一層墊層。

7.根據權利要求5所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，在所述步驟S2之后還包括如下步驟：

S3：通過濕法刻蝕或者干法刻蝕將所述氧化層(5)去除。

8.根據權利要求5或6所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，所述氧離子的注入能量為小于或等于100keV，其注入劑量為1×10¹²cm^-2至1×10¹⁸cm^-2，其注入溫度為0至1000℃；所述氮離子的注入能量為小于或等于100keV，其注入劑量為1×10¹²cm^-2至1×10¹⁵cm^-2。

9.根據權利要求5或7所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，所述氧離子的注入能量為10keV至1MeV，其注入劑量為1×10¹²cm^-2至1×10¹⁸cm^-2，其注入溫度為0至1000℃；所述氮離子的注入能量為10keV至1MeV，其注入劑量為1×10¹²cm^-2至1×10¹⁵cm^-2。

10.根據權利要求5-7中任一項所述的在碳化硅基片上生長氧化層的方法，其特征在于，所述高溫熱氧化處理的溫度為900℃至2000℃。