[發(fā)明專(zhuān)利]新型擺率增強(qiáng)電路、低壓差線性穩(wěn)壓器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810593350.1
• 申請(qǐng)日: 2018-06-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108508953B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜梅;孫凱;張瀚元;陽(yáng)召成
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312
• 代理人: 袁文英

本發(fā)明適用于電路設(shè)計(jì)，提供了一種新型擺率增強(qiáng)電路，包括若干MOS管和若干電容；若干電容，用于檢測(cè)外部輸入的反饋電壓的變化，當(dāng)檢測(cè)到反饋電壓發(fā)生變化時(shí)，向若干MOS管發(fā)送控制信號(hào)；若干MOS管，用于根據(jù)控制信號(hào)控制新型擺率增強(qiáng)電路的輸出端輸出電壓的上升或者下降，使得與新型擺率增強(qiáng)電路的輸出端相連接的功率調(diào)整管的擺率限制得到改善。本發(fā)明實(shí)施例提供的新型擺率增強(qiáng)電路可以在負(fù)載跳變瞬間改善功率調(diào)整管的擺率限制，提高了整體的瞬態(tài)響應(yīng)，減小了靜態(tài)電流。當(dāng)負(fù)載電流瞬態(tài)變化或產(chǎn)生開(kāi)關(guān)毛刺和尖峰時(shí)，能通過(guò)反饋電壓快速檢測(cè)到輸出電壓的變化，并迅速給功率調(diào)整管的柵極電容及彌勒等效電容進(jìn)行充放電，最終大大改善電路的瞬態(tài)特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電路設(shè)計(jì)，尤其涉及一種新型擺率增強(qiáng)電路、低壓差線性穩(wěn)壓器。

背景技術(shù)

隨著人們生活水平發(fā)展，生活中越來(lái)越離不開(kāi)各類(lèi)便攜式電子設(shè)備，比如手機(jī)、平板電腦等，此類(lèi)便攜式設(shè)備通常采用5V或者12V供電，但其芯片內(nèi)部供電通常在3V以下，而低壓差線性穩(wěn)壓器LDO(Low Dropout Regulator)正是此類(lèi)降壓轉(zhuǎn)換的不二選擇，LDO的相關(guān)電路已經(jīng)成為電源管理芯片中十分重要的一類(lèi)電路。LDO具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低，芯片面積較小，靜態(tài)功耗較低等優(yōu)點(diǎn)。

傳統(tǒng)的LDO的相關(guān)電路如圖1，由于市面上芯片多采用數(shù)模混合電路。當(dāng)芯片正常工作時(shí)，由數(shù)字信號(hào)控制的開(kāi)關(guān)會(huì)頻繁進(jìn)行開(kāi)斷，這會(huì)引起LDO的負(fù)載電流產(chǎn)生頻繁的尖峰跳變，為了保證LDO輸出穩(wěn)定，因此要求降壓模塊需要有較好的瞬態(tài)特性。瞬態(tài)特性直接受到LDO的帶寬及功率管MP的柵端擺率所限制，通常會(huì)采用片外電容和提高靜態(tài)電流的方式來(lái)改善瞬態(tài)特性，這使得LDO版圖面積變大、功耗增加。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種新型擺率增強(qiáng)電路、低壓差線性穩(wěn)壓器，旨在現(xiàn)有技術(shù)采用片外電容和提高靜態(tài)電流的方式來(lái)改善瞬態(tài)特性，這使得LDO版圖面積變大、功耗增加的問(wèn)題。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種新型擺率增強(qiáng)電路，包括若干MOS管和若干電容；

若干所述電容，用于檢測(cè)外部輸入的反饋電壓的變化，當(dāng)檢測(cè)到所述反饋電壓發(fā)生變化時(shí)，向若干所述MOS管發(fā)送控制信號(hào)；

若干所述MOS管，與所述電容相連接，用于根據(jù)所述控制信號(hào)控制所述新型擺率增強(qiáng)電路的輸出端輸出電壓的上升或者下降，使得與所述新型擺率增強(qiáng)電路的輸出端相連接的功率調(diào)整管的擺率限制得到改善。

進(jìn)一步地，所述新型擺率增強(qiáng)電路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一電容和第二電容；

所述第一MOS管的源極連接輸入電壓，所述第一MOS管的漏極連接所述第三MOS管的漏極，所述第一MOS管的柵極依此通過(guò)所述第一電容和第二電容連接至所述第四MOS管的柵極；

所述第二MOS管的源極連接所述輸入電壓，所述第二MOS管的漏極連接所述第四MOS管的漏極，所述第二MOS管的柵極連接所述第五MOS管的柵極，且所述第二MOS管的柵極與漏極相連接；

所述第三MOS管的柵極連接所述第六MOS管的柵極，所述第三MOS管的源極接地，且所述第三MOS管的漏極與柵極相連接；

所述第四MOS管的源極接地；所述第五MOS管的源極連接所述輸入電壓，所述第五MOS管的漏極連接所述第六MOS管的漏極；所述第六MOS管的源極接地；所述新型擺率增強(qiáng)電路的輸出端連接于所述第五MOS管的漏極與所述第六MOS管的漏極之間。

進(jìn)一步地，所述第一MOS管、第二MOS管和第五MOS管為PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管和第六MOS管為NMOS管。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種低壓差線性穩(wěn)壓器，包括上述任意一項(xiàng)所述的新型擺率增強(qiáng)電路和低壓差線性穩(wěn)壓電路；