本發(fā)明提供了一種閃存?zhèn)葔Φ男纬煞椒ǎ鲩W存?zhèn)葔Φ男纬煞椒ǚ秩慰涛g形成閃存器件的第二側(cè)墻；形成的第二側(cè)墻的高度小于現(xiàn)有技術(shù)中形成的第二側(cè)墻的高度。第二側(cè)墻高度減小，使得閃存字線頂部與第二側(cè)墻的高度差增大，從而使閃存字線頂部與第二側(cè)墻的高度差達到工藝標準。同時與現(xiàn)有技術(shù)相比增加一刻蝕步驟，使得本方法中對所述第二介質(zhì)層過度刻蝕時間間與現(xiàn)有技術(shù)中對所述第二介質(zhì)層過度刻蝕時間基本一致，避免了由于過度刻蝕時間增加污染反應腔體，導致后續(xù)形成的半導體結(jié)構(gòu)出現(xiàn)異常的問題，提高了器件的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，尤其是涉及一種閃存?zhèn)葔Φ男纬煞椒ā?/p>

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的集成電路中，存儲器件已成為一種重要器件。在目前的存儲器件中，閃存(Flash Memory)的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點，因而在微機、自動化控制等多項領(lǐng)域得到了廣泛的應用。

在閃存器件中的每部分都有相應的尺寸要求。其中，閃存的偏移側(cè)墻與閃存字線頂部的高度差是影響閃存器件整體性能的一個重要因素，這個高度差需要在一個合適的范圍內(nèi)。若字線化學機械拋光過程的工藝窗口寬度小于標準寬度，字線頂部距離偏移側(cè)墻的距離會比較近，則使得偏移側(cè)墻與閃存字線頂面的高度差小于了偏移側(cè)墻與閃存字線頂面之間高度差的標準值，這樣在后續(xù)的器件的制作過程中使得偏移側(cè)墻暴露出來，最終導致偏移側(cè)墻在浮柵上掩膜層的去除步驟被刻蝕，損壞器件結(jié)構(gòu)。若字線化學機械拋光過程的工藝窗口寬度大于標準寬度，字線頂部距離距離偏移側(cè)墻的距離變大，使得偏移側(cè)墻與閃存字線頂面的高度差變大，使偏移側(cè)墻與閃存字線頂面的高度差達到標準值，但是字線化學機械拋光過程的工藝窗口變大，字線在化學機械拋光過程后會在浮柵上掩膜層表面留有殘余，從而阻塞了后續(xù)浮柵上掩膜層的去除。因此通過增加字線化學機械拋光過程的工藝窗口寬度的方法來使偏移側(cè)墻與閃存字線頂面的高度差達到工藝標準是不可取的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種閃存?zhèn)葔Φ男纬煞椒ǎ越鉀Q現(xiàn)有方法中形成的閃存偏移側(cè)墻與閃存字線頂部的高度差不符合半導體器件制作工藝標準的問題。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種閃存?zhèn)葔Φ男纬煞椒ǎㄒ韵虏襟E：

提供襯底，所述襯底上依次形成有第一柵極層、介電層、第二柵極層以及掩膜層；所述掩膜層中設(shè)有第一開口，所述第一開口暴露出所述第二柵極層的表面，在所述第一開口的側(cè)壁形成有第一側(cè)墻；

以所述第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述第二柵極層和所述介電層形成第二開口；

在所述第二開口的底部和側(cè)壁以及所述掩膜層的表面依次形成第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層。

對所述第二介質(zhì)層進行第一次刻蝕；所述第一次刻蝕暴露出所述掩膜層表面上的所述第一介質(zhì)層和所述第二開口底部表面上的所述第一介質(zhì)層；

對所述第二介質(zhì)層進行第二次刻蝕；所述第二次刻蝕時對所述第二介質(zhì)層的選擇性大于所述第一次刻蝕時對所述第二介質(zhì)層的選擇性；以及

對所述第二介質(zhì)層進行第三次刻蝕，在所述第一介質(zhì)層表面形成第二側(cè)墻；所述第三次刻蝕時，對所述第二介質(zhì)層的選擇性大于所述第二次刻蝕時對所述第二介質(zhì)層的選擇性。

可選的，所述第一介質(zhì)層的厚度范圍為94～115埃。

可選的，所述第二介質(zhì)層的厚度范圍為270～330埃。

可選的，所述第二次刻蝕時，所述第二介質(zhì)層和所述第一介質(zhì)層的刻蝕選擇比范圍為3～4。

可選的，所述第三次刻蝕時，所述第二介質(zhì)層和所述第一介質(zhì)層的刻蝕選擇比范圍為8～9。

可選的，所述第二次刻蝕和所述第三次刻蝕采用到達時間停止刻蝕的方式進行刻蝕。