[發(fā)明專利]NLDMOS器件和LDMOS功率器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810588308.0
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN108511529B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 劉憲周
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在襯底之上形成N型埋層和P型埋層；

在N型埋層和P型埋層之上形成外延層；

對外延層進行光刻、蝕刻和化學機械研磨形成淺溝槽隔離結構；

在位于N型埋層之上的外延層的表面進行介質(zhì)層沉積；

采用同一掩模板對介質(zhì)層進行光刻去掉多余的介質(zhì)層形成場效應氧化層，以及對外延層進行光刻和離子注入形成P型阱區(qū)和N型阱區(qū)；

采用NGRD光罩通過N型阱區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區(qū)，采用PGRD光罩通過P型阱區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區(qū)；

通過N型漏極漂移區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入在N型漏極漂移區(qū)與N型埋層之間形成位于N型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構，通過P型漏極漂移區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入在P型漏極漂移區(qū)與N型埋層之間形成位于P型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構，位于N型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構的摻雜濃度大于位于P型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構的摻雜濃度；

在場效應氧化層之上形成柵極結構。

2.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成P型阱區(qū)和N型阱區(qū)的步驟順序包括：

首先，對外延層進行光刻和離子注入形成P型阱區(qū)；

其次，對外延層進行光刻和離子注入形成N型阱區(qū)；

形成所述P型阱區(qū)和N型阱區(qū)的離子注入的離子源不同。

3.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成P型阱區(qū)和N型阱區(qū)的步驟順序包括：

首先，對外延層進行光刻和離子注入形成N型阱區(qū)；

其次，對外延層進行光刻和離子注入形成P型阱區(qū)；

形成所述P型阱區(qū)和N型阱區(qū)的離子注入的離子源不同。

4.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成N型漏極漂移區(qū)和形成P型漏極漂移區(qū)的步驟順序包括：

首先，采用NGRD光罩通過N型阱區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區(qū)；

其次，采用PGRD光罩通過P型阱區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區(qū)。

5.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成N型漏極漂移區(qū)和形成P型漏極漂移區(qū)的步驟順序包括：

首先，采用PGRD光罩通過P型阱區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入形成P型漏極漂移區(qū)；

其次，采用NGRD光罩通過N型阱區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入形成N型漏極漂移區(qū)。

6.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成位于N型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構和形成位于P型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構的步驟順序包括：

首先，通過N型漏極漂移區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入在N型漏極漂移區(qū)與N型埋層之間形成位于N型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構；

其次，通過P型漏極漂移區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入在P型漏極漂移區(qū)與N型埋層之間形成位于P型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構。

7.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述形成位于N型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構和形成位于P型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構的步驟順序包括：

首先，通過P型漏極漂移區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入在P型漏極漂移區(qū)與N型埋層之間形成位于P型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構；

其次，通過N型漏極漂移區(qū)繼續(xù)對外延層進行光刻和離子注入在N型漏極漂移區(qū)與N型埋層之間形成位于N型漏極漂移區(qū)下方的P型隔離結構。

8.如權利要求1所述的全隔離型的NLDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述場效應氧化層為復合結構，包括形成于襯底之上的氧化物和氮化物。