[發明專利]晶圓上多個對準標記的集中放置和光刻位置的確定方法

有效

• 申請號: 201810588302.3
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN108803264B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 李偉峰
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種晶圓上多個對準標記的集中放置方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供多片具有一個對準標記的晶圓；

在光刻機中建立待執行的曝光文件；

根據曝光文件中晶圓的預設對準標記坐標位置使每片晶圓運動到光刻機的曝光臺；

光刻機根據每片晶圓的對準標記生成相應的對準信號；

計算每片晶圓對準信號中心與預設對準標記坐標位置的偏差距離；

以多片晶圓中對準信號中心與預設對準標記坐標位置的最大偏差距離為基準，在晶圓上具有多個對準標記集中放置時，將相鄰對準標記之間的間距按照大于2倍的最大偏差距離的關系設置。

2.如權利要求1所述的晶圓上多個對準標記的集中放置方法，其特征在于，重復計算每片晶圓對準信號中心與預設對準標記坐標位置的偏差距離，以多次計算中對準信號中心與預設對準標記坐標位置的最大偏差距離為基準，在晶圓上多個對準標記集中放置時，將相鄰對準標記之間的間距按照大于2倍的最大偏差距離設置。

3.如權利要求2所述的晶圓上多個對準標記的集中放置方法，其特征在于，所述最大偏差距離小于80微米時，按照80微米以上的自定義偏差距離計算。

4.如權利要求1所述的晶圓上多個對準標記的集中放置方法，其特征在于，所述多片具有一個對準標記的晶圓，是指兩片以上具有相同圖形的晶圓，且在一定距離范圍內只有一個對準標記。

5.如權利要求4所述的晶圓上多個對準標記的集中放置方法，其特征在于，所述距離范圍大于或者等于500微米。

6.如權利要求1所述的晶圓上多個對準標記的集中放置方法，其特征在于，所述晶圓上多個對準標記，是指晶圓具有兩個以上的對準標記。

7.如權利要求1所述的晶圓上多個對準標記的集中放置方法，其特征在于，所述對準標記為光刻工藝中的粗對準標記。

8.一種晶圓上多個對準標記的光刻位置的確定方法，其特征在于，根據權利要求1-7中任一項所述的晶圓上多個對準標記的集中放置方法，設置相鄰對準標記的位置，執行新的曝光文件，晶圓運動到曝光臺，光刻機自動收集晶圓的多個對準信號，并且自動識別靠近預設對準標記坐標位置的對準信號中心對應的對準標記為晶圓當前待執行的曝光文件的光刻位置。

9.如權利要求8所述的晶圓上多個對準標記的光刻位置的確定方法，其特征在于，所述自動識別靠近預設對準標記坐標位置的對準信號中心對應的對準標記為晶圓當前待執行的曝光文件的光刻位置的步驟為粗對準工藝，然后執行精對準工藝。

10.如權利要求9所述的晶圓上多個對準標記的光刻位置的確定方法，其特征在于，在執行精對準工藝后，根據待執行的曝光文件執行曝光工藝。