[發明專利]一種提高燒結磁體磁性能的方法及制備得到的磁體

有效

• 申請號: 201810587843.4
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN108922763B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 成問好;魏方允;王嚴;成走程
• 申請（專利權）人: 深圳市瑞達美磁業有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/032
• 代理公司: 北京煦潤律師事務所 11522
• 代理人: 梁永芳

1.一種提高燒結取向磁體磁性能的方法，其特征在于：對燒結取向磁體進行滲透處理，目標滲透源包括35-99.9wt％的滲透助劑和0.1-65wt％可滲透入磁體R-Fe-B主相、晶界相、和/或晶界角隅相的單質和/或化合物；其中可滲透入磁體的物質中含有熔點低于400℃單質和/或化合物；滲透前，預先對滲透助劑進行1000℃以上的高溫烘烤處理；所述燒結取向磁體磁性能中矯頑力較處理前至少提高40％，剩磁下降不足4％，磁體從室溫加熱至120℃再回到室溫的磁通熱衰減小于2.3％。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：可滲透入磁體2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一種或多種元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一種或多種元素。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：滲透入晶界相和/或晶界角隅相的元素包括Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、F、N中的任一種或多種。

4.根據權利要求2或3所述的方法，其特征在于：所述化合物包括上述元素的氧化物、氟化物、碳化物、氮化物、氫化物、合金、固溶化合物。

5.根據權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述滲透助劑至少含有氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、氧化鈦中的任一種或多種。

6.根據權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述目標滲透源含有熔點29.8℃的金屬Ga。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于：所述目標滲透源含有熔點29.8℃的金屬Ga。

8.根據權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述目標滲透源主要含有：35-96.4wt％的選自氧化鋯、氧化鎂、氧化鋁、氧化鈦中任一種或幾種、0.1-5wt％的金屬鎵、2-30％的氟化鋱、1-5％氟化鏑、以及0.5-25wt％的鋯粉和/或鈮粉。

9.根據權利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述目標滲透源主要含有：55-94.4wt％的氧化鋯、氧化鎂、氧化鋁、氧化鈦中任一種或幾種、0.1-5wt％的金屬鎵、5-35％的氟化鋱、0.5-5wt％的羰基鈷粉。

10.根據權利要求1或2或3或7所述的方法，其特征在于：燒結磁體為平行取向或輻射取向，磁體取向成型中，取向磁場與模具之間存在相對旋轉運動。

11.據權利要求10所述的方法，其特征在于：所述取向磁場是恒定磁場、有規則變化的磁場、或不規則變化的磁場。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于：輻射取向成型步驟包括：(1)模腔內充填待成型磁粉，模腔內部設置一內磁極，模腔外部設置一外磁極；(2)外磁極相對模腔旋轉、或模腔相對外磁極旋轉，內、外磁極之間產生一取向磁場，所述取向磁場與磁粉之間存在相對旋轉，對磁粉進行磁化和取向；(3)旋轉的同時，施加逐漸增加的壓力對所述磁粉進行壓制成型，得到取向磁體坯體，對該坯體在1000-1100℃進行真空燒結，得到磁體。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于：輻射取向成型步驟包括：中心取向磁體的成型步驟包括：(1)模腔內充填待成型磁粉，模腔內部設置一磁芯，模腔外部對稱設置多個外磁極；(2)多個外磁極同時相對模腔旋轉、或模腔相對所述外磁極旋轉，磁芯與多個外磁極之間產生多個取向磁場，所述取向磁場與磁粉之間存在相對旋轉，對磁粉進行磁化和取向；(3)旋轉的同時，施加逐步增加的壓力對所述磁粉進行壓制成型，得到取向磁體坯體，對該坯體在1000-1100℃進行真空燒結，得到磁體。