[發(fā)明專利]贗配高電子遷移率晶體管的外延材料及贗配高電子遷移率晶體管在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810587096.4 | 申請日： | 2018-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN108807529A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊秋旻;張楊;曾一平 | 申請（專利權(quán)）人： | 中科芯電半導(dǎo)體科技（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 張素紅 |
| 地址： | 100076 北京市大興區(qū)西紅*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝道層 贗配高電子遷移率晶體管 外延材料 摻雜層 襯底層 隔離層 電子遷移率 超晶格層 晶格失配 晶體缺陷 半絕緣 勢壘層 未摻雜 散射 生長 帽層 摻雜 | ||
1.一種贗配高電子遷移率晶體管的外延材料，選用半絕緣GaAs作為襯底層(1)，在所述襯底層(1)上依次逐層生長GaAs緩沖層(2)、AlGaAs/GaAs超晶格層(3)、未摻雜的AlGaAs層(4)、第一摻雜層(5)、第一AlGaAs隔離層(6)、InGaAs溝道層、第二AlGaAs隔離層(10)、第二摻雜層(11)、AlGaAs勢壘層(12)、摻雜帽層(13)，其特征在于，所述InGaAs溝道層包括依次逐層生長的第一InGaAs溝道層(7)、第二InGaAs溝道層(8)和第三InGaAs溝道層(9)，所述第一InGaAs溝道層(7)和所述第三InGaAs溝道層(9)中的In組分均小于所述第二InGaAs溝道層(8)中的In組分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs溝道層(7)和所述第三InGaAs溝道層(9)中的In組分相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs溝道層(7)和所述第三InGaAs溝道層(9)中的In組分均為25％，所述第二InGaAs溝道層(8)中的In組分為35％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs溝道層(7)和所述第三InGaAs溝道層(9)的厚度均小于所述第二InGaAs溝道層(8)的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs溝道層(7)和所述第三InGaAs溝道層(9)的厚度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的外延材料，其特征在于，所述第一InGaAs溝道層(7)和所述第三InGaAs溝道層(9)的厚度均為2nm，所述第二InGaAs溝道層(8)的厚度為4nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一所述的外延材料，其特征在于，所述第一摻雜層(5)和所述第二摻雜層(11)均為硅雜質(zhì)摻雜。
8.一種贗配高電子遷移率晶體管，包括晶體管主體，其特征在于，所述晶體管主體上設(shè)有如權(quán)利要求1至7中任一所述的外延材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
