[發明專利]一種高比表面積改性蒙脫石濾嘴添加劑的合成方法與應用

在審

• 申請號: 201810586774.5
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN108636364A
• 公開（公告）日: 2018-10-12
• 發明（設計）人: 王亞明;劉志華;楊晨
• 申請（專利權）人: 昆明理工大學
• 主分類號: B01J20/22
• 分類號: B01J20/22;B01J20/28;B01J20/30;A24D3/06
• 代理公司: 曲靖科嵐專利代理事務所(特殊普通合伙) 53202
• 代理人: 李繼瓊;鄭興平

1.一種高比表面積改性蒙脫石濾嘴添加劑，其特征在于，用二氧化硅柱撐劑在鈉基蒙脫石層間進行柱撐后，固定在蒙脫石001晶面層間，得到含多重二氧化硅固定的改性蒙脫石濾嘴添加劑。

2.一種高比表面積改性蒙脫石濾嘴添加劑的合成方法，其特征在于，合成過程為：

1）. 鈉基蒙脫石的合成：100g蒙脫石加入1500mL水中，充分溶脹后，加熱到85℃并加入5g氫氧化鈉和5g硫酸鈉反應3h，過濾并洗滌5次，干燥后研磨備用；

2）. CTAB（十六烷基三甲基溴化銨）插層蒙脫石的合成：50g鈉基蒙脫石加入5L水中攪拌成懸濁液，加入兩倍其陽離子交換容量的CTAB，80℃下反應4h，過濾并洗滌5次，干燥后研磨；

3）．取CTAB插層蒙脫石5g，加入20倍物質的量的辛胺，攪拌30min后，再加入150倍物質的量的TEOS（硅酸乙酯），封住瓶口，攪拌10min后，離心分離并洗滌6次，干燥后研磨；

4）. 將上述制備的TEOS插層蒙脫石樣品放入高溫爐中，空氣氣氛下，550℃高溫灼燒5h，取出后研磨，得到最終的含多重二氧化硅固定的改性蒙脫石濾嘴添加劑。

3.根據權利要求1所述的高比表面積改性蒙脫石濾嘴添加劑，其特征在于所述添加劑001晶面中的二氧化硅是納米級別，并呈現多重柱撐。

4.如權利要求1－3任一項所述的高比表面積改性蒙脫石濾嘴添加劑的應用，其特征在于，將制得的SiO₂-C8-M經過普通造粒機造粒，顆粒大小控制在40-60目，并以正常活性炭嘴棒添加方法加入卷煙濾嘴中，加入量為每支卷煙5—15 mg，最終制得的卷煙產品；或將制得的SiO₂-C8-M，用干法涂布在卷煙成型紙的內表面，涂布量為0.5—1g/m²，將該成型紙應用于正常濾嘴制造中，并用該濾嘴卷制最終的卷煙產品。