[發(fā)明專利]L波段微放電抑制星用高功率環(huán)行器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810585598.3 | 申請日： | 2018-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN108521001B | 公開（公告）日： | 2023-07-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 彭承敏;夏瑞青 | 申請（專利權）人： | 西南應用磁學研究所 |
| 主分類號： | H01P1/383 | 分類號： | H01P1/383;H01P1/38 |
| 代理公司： | 成都市熠圖知識產權代理有限公司 51290 | 代理人： | 楊金濤 |
| 地址： | 621000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波段 放電 抑制 星用高 功率 環(huán)行器 | ||
【權利要求書】：
1.一種L波段微放電抑制星用高功率環(huán)行器，包括環(huán)行器主體和與所述環(huán)行器主體兩端連接的連接器，所述環(huán)行器主體包括相互連接的上腔體和下腔體，所述上腔體和下腔體內分別設置有上介質和下介質，所述上介質和下介質內側圍合成環(huán)行器內部，所述上介質和下介質內側設置有基片，所述基片上設置有中心導體；所述連接器內設置有連接器內導體和連接器介質，所述中心導體與所述連接器內導體相連，其特征在于：所述連接器介質延伸至所述環(huán)行器內部，與所述上介質和下介質交錯。
2.根據權利要求1所述的L波段微放電抑制星用高功率環(huán)行器，其特征在于：所述上介質和下介質之間的接觸面為彎折面。
3.根據權利要求1所述的L波段微放電抑制星用高功率環(huán)行器，其特征在于：所述上介質和下介質延伸至所述基片下底面，與所述基片側邊錯開。
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